【摘要】 本发明是披露一种对准标记及缺陷检测方法。该缺陷检测方法首先利用一第一缺陷检测系统对一晶片进行一第一缺陷检测步骤，晶片上具有至少一对准标记，第一缺陷检测步骤另包含对准该对准标记，且对准标记为第一缺陷检测步骤的参考点(reference point)。然后对晶片进行一工艺，并接着利用一第二缺陷检测系统对晶片进行一第二缺陷检测步骤，第二缺陷检测步骤另包含对准该对准标记，且对准标记为第二缺陷检测步骤的参考点。 【专利类型】发明申请 【申请人】联华电子股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹科学工业园区 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810166502.6 【申请日】2008-10-09 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101719477A 【公开公告日】2010-06-02 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101719477B 【授权公告日】2013-04-24 【授权公告年份】2013.0 【IPC分类号】H01L21/66; H01L23/544 【发明人】周玲君; 陈铭聪; 刘喜华; 雷舜诚; 曹博昭 【主权项内容】一种缺陷检测的方法，包含：利用一第一缺陷检测系统对一晶片进行一第一缺陷检测步骤，其中该晶片上具有至少一对准标记，且该第一缺陷检测步骤另包含对准该对准标记，并以该对准标记作为该第一缺陷检测步骤的参考点；对该晶片进行至少一工艺；以及利用一第二缺陷检测系统对该晶片进行一第二缺陷检测步骤，该第二缺陷检测步骤另包含对准该对准标记，且该对准标记为该第二缺陷检测步骤的参考点。 -官网 【当前权利人】联华电子股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹科学工业园区 【被引证次数】13 【被他引次数】13.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】13
