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半导体封装结构及其制造方法专利

发布时间:2026-06-19

【摘要】 本发明公开一种半导体封装结构及其制造方法。在一个实施例中,首先提供半导体芯片,其上露出多个导电层。提供第一基板,其具有第一表面与第二表面,第一表面露出多个介层插塞。将半导体芯片与第一基板接合,使导电层对准并接触介层插塞。从第二表面去除部分的第一基板,以露出介层插塞的另一端。于介层插塞露出的另一端形成凸块底层金属,并于凸块底层金属上形成焊料凸块。提供第二基板,其具有第一表面与第二表面,将焊料凸块设置在第二基板的第一表面。本发明可使焊料凸块较为坚固,大大减少焊料凸块破裂的机会。 【专利类型】发明授权 【申请人】台湾积体电路制造股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹市 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810004615.6 【申请日】2008-01-21 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101335224B 【公开公告日】2010-06-02 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101335224B 【授权公告日】2010-06-02 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L21/60; H01L23/488; H01L23/498 【发明人】陈承先; 张国钦; 卢思维; 曹佩华; 王忠裕; 曾汉良; 李明机 【主权项内容】一种半导体封装结构的制造方法,包括下列步骤:提供半导体芯片,其上露出多个导电层;提供第一基板,其具有第一表面与第二表面,所述第一表面露出多个介层插塞;将所述半导体芯片与所述第一基板接合,其中所述多个导电层对准并接触所述多个介层插塞;从所述第二表面去除部分所述第一基板,以露出所述多个介层插塞的另一端;于所述多个介层插塞露出的另一端形成多个凸块底层金属;于所述多个凸块底层金属上形成多个焊料凸块;以及提供第二基板,其具有第一表面与第二表面,并将所述多个焊料凸块设置在所述第二基板的第一表面。 【当前权利人】台湾积体电路制造股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹市 【引证次数】3.0 【他引次数】3.0 【家族引证次数】7.0 【家族被引证次数】11

  • 【摘要】一种改善动态反应的PWM电源转换器,其特征在于包括:一输出级, 根据一脉宽调变信号产生一输出电压;一误差放大器,放大所述电源转换 器的输出电压及一参考电压之间的差值产生一误差信号;一锯齿波产生 器,提供一具有多斜率的锯齿波信号,并根
  • 【摘要】本发明公开了一种主动阵列基板,包括:一基底;至少一扫描线;至少一 数据线,与该扫描线垂直;一保护层,位于该数据在线,该保护层具有一开口 以暴露出该数据线;以及,一导体层位于该保护层上位于该开口内而与该数据 线电性连接;至少一薄膜晶体
  • 【摘要】本发明公开一种半导体封装结构及其制造方法。在一个实施例中,首先提供半导体芯片,其上露出多个导电层。提供第一基板,其具有第一表面与第二表面,第一表面露出多个介层插塞。将半导体芯片与第一基板接合,使导电层对准并接触介层插塞。从第二表面去
  • 【摘要】一种液晶显示器及其发光二极管背光模块驱动装置与方法。本发明所 提出的发光二极管背光模块驱动装置包括控制单元与驱动单元。其中,控 制单元会依据切换信号,而交替提供第一控制信号与第二控制信号。驱动 单元会耦接至控制单元,且其会依据所述第
  • 【摘要】本发明揭露了一种用于可编程图形处理单元计算核心的常量缓冲的方法,其特征在于包含以下步骤:响应第一着色器操作,在常量缓冲器中接收第一常量组,该第一常量组相应于第一渲染内文;响应第二着色器操作,在该常量缓冲器中接收第二常量组,该第二常量
  • 【摘要】本发明公开一种磁性元件,包括第一铁芯、第二铁芯、至少一凸块及至少一导线。该凸块设置于第一铁芯与第二铁芯之间。该导线位于第一铁芯与第二铁芯之间。。【专利类型】发明申请【申请人】台达电子工业股份有限公司【申请人类型】企业【申请人地址】中