【摘要】 本发明提供一种具有空气间隙的半导体元件的制造方法，该方法包括以下步骤，提供一牺牲层于一介电层上，且于其中形成多个开口，牺牲层是一毯覆层，且其氧化成一可通过一蚀刻组成来蚀刻的材料，介电材料和后续形成的内连接层则对此蚀刻组成具有蚀刻阻挡的特性。在沉积内连接层后，提供一包括部分介电材料、转换材料的垂直部分和部分的内连接层的平坦化表面。以上述蚀刻组成将转换材料移除，形成多个孔洞，于上述的结构上形成一盖层，产生空气间隙。另外，可于内连接结构和牺牲材料间形成一侧壁保护层，在本发明的实施例中，可于介电材料上形成一抗反射层，且抗反射层形成部分的平坦表面。 【专利类型】发明授权 【申请人】台湾积体电路制造股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹市 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810085229.4 【申请日】2008-03-10 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101399222B 【公开公告日】2010-09-15 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101399222B 【授权公告日】2010-09-15 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L21/768 【发明人】陈宪伟; 蔡豪益; 郑心圃; 刘豫文 【主权项内容】一种具有空气间隙的半导体元件的制造方法，包括：形成一半导体结构于一基底上，该半导体结构于至少一材料层中包括多个开口，该材料层对于一蚀刻物具有蚀刻抵抗特性；沉积一毯覆性薄膜于该材料层上方，该毯覆性薄膜包括：沿着所述开口的侧壁的垂直部分、和位于该材料层上方与所述开口底部的水平部分；将该毯覆性薄膜全部氧化为一转换层，该转换层可为该蚀刻物移除；移除所述毯覆性薄膜的水平部分；将一内连接层填入所述开口中，该内连接层对于该蚀刻物具有蚀刻抵抗特性，且提供一包括上表面的结构，该上表面包括至少该材料层、所述垂直部分和部分该内连接层的表面；选择性移除该转换层的垂直部分，以形成多个孔洞；以及形成一盖层于该上表面和所述孔洞上方，以于所述孔洞中形成空气间隙。 数据由整理 【当前权利人】台湾积体电路制造股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹市 【引证次数】2.0 【他引次数】2.0 【家族引证次数】14.0 【家族被引证次数】60
