【摘要】 一种金属位线排列方法，应用于一虚拟接地阵列存储器。存储器具有多个存储单元数据块，存储单元数据块分别具有多个存储单元、多个选择晶体管及m条金属位线，m为正整数。存储单元的漏极所电性连接的金属位线被定义为漏极金属位线，源极所电性连接的金属位线被定义为源极金属位线。金属位线排列方法包括，当被读取时，使得被充电的金属位线不相邻于目标存储单元的源极金属位线。 【专利类型】发明授权 【申请人】旺宏电子股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹科学工业园区 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810008568.2 【申请日】2008-01-23 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101241753B 【公开公告日】2010-06-23 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101241753B 【授权公告日】2010-06-23 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】G11C7/18 【发明人】何文乔; 张坤龙; 洪俊雄 【主权项内容】一种金属位线排列方法，应用于一存储器，该存储器是一虚拟接地阵列存储器，该存储器具有多个存储单元数据块，所述存储单元数据块分别具有多个存储单元、与所述多个存储单元对应的多个选择晶体管及与所述多个存储单元对应的m条金属位线：金属位线0、金属位线1、......金属位线m-1，m为正整数，所述存储单元的漏极所电性连接的该金属位线被定义为一漏极金属位线，源极所电性连接的该金属位线被定义为一源极金属位线，该金属位线排列方法包括：当读取时，使得被充电的金属位线不相邻于一目标存储单元的源极金属位线，其中，当该目标存储单元被读取时，n个选择信号的一第一选择信号导通所述选择晶体管的一第一选择晶体管，使得该目标存储单元的漏极电性连接该漏极金属位线，所述n个选择信号的一第二选择信号导通所述选择晶体管的一第二选择晶体管，使得该目标存储单元的源极电性连接该源极金属位线，并且所述被充电的金属位线由所述第一选择信号或所述第二选择信号所控制，n为正整数。 【当前权利人】旺宏电子股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹科学工业园区 【家族引证次数】12.0 【家族被引证次数】3
