【摘要】 本发明公开了一种发光元件及其制造方法。一种发光元件，至少包含基 板，其中基板的上表面具有离子注入层；硅薄膜，位于离子注入层上；以及 发光叠层，位于硅薄膜上。一种发光元件制造方法，其步骤包含提供基板， 在此基板上表面形成离子注入层；提供发光叠层，在此发光叠层下表面形成 硅薄膜；以阳极键合技术接合此发光叠层与此基板。 【专利类型】发明申请 【申请人】晶元光电股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹市 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810134353.5 【申请日】2008-07-24 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101635324A 【公开公告日】2010-01-27 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101635324B 【授权公告日】2015-08-26 【授权公告年份】2015.0 【发明人】许嘉良 【主权项内容】1.一种发光元件制造方法，至少包含： 提供第一基板； 形成发光叠层于该第一基板上； 形成硅薄膜于该发光叠层上； 提供第二基板，设置于该硅薄膜上，其中还包含于该第二基板上形成离 子注入层的步骤； 提供电位差以形成氧化层于该硅薄膜与该离子注入层间；以及 移除该第一基板。 【当前权利人】晶元光电股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹市 【被引证次数】4 【家族被引证次数】4
