【摘要】 一种室温铁磁性Fe掺杂ZnO纳米线的制备方法，属于半导体纳米材料制备技术领域，本发明采用气相沉积的方法在ZnO纳米线制备过程中进行原位掺杂，将ZnO、C和Fe粉作为蒸发源，硅片作为接收衬底，放置在刚玉舟上，且硅片处于蒸发源的正上方，与蒸发源的垂直距离为2～4mm。其后，一起放入管式炉中，在炉中通入300～350ml/min的氩气，5～8min后将氩气流量改为120～160ml/min；将管式炉加热到950～1050℃，炉子内压强维持在0.03～0.05MPa，保温140～160min后自然冷却至室温，得到大面积均匀分布的Fe掺杂ZnO纳米线。本发明解决了在ZnO纳米线中合理掺入磁性元素Fe的问题，获得的Fe掺杂ZnO纳米线具有室温铁磁性。本方法原料廉价，工艺简单，能耗低，产率高，对环境无污染，适于工业化生产。 【专利类型】发明授权 【申请人】北京科技大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】100083 北京市海淀区学院路30号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810103180.0 【申请日】2008-04-01 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101311365B 【公开公告日】2010-07-21 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101311365B 【授权公告日】2010-07-21 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】C30B29/16; C30B29/62; C30B25/00 【发明人】常永勤 【主权项内容】一种室温铁磁性Fe掺杂ZnO纳米线的制备方法，其特征在于，将ZnO、C和Fe粉作为蒸发源均匀混合后放置在刚玉舟中，再将硅片作为接收衬底，垂直放置在蒸发源的正上方，硅片与蒸发源的垂直距离为2～4mm；其后，一起放入管式炉中，在炉中通入300～350ml/min的氩气，5～8min后将氩气流量改为120～160ml/min；将管式炉加热到950～1050℃，炉内压强维持在0.03～0.05MPa，保温140～160min后自然冷却至室温，得到Fe掺杂ZnO纳米线。 【当前权利人】北京科技大学 【当前专利权人地址】北京市海淀区学院路30号 【统一社会信用代码】121000004000022245 【引证次数】1.0 【自引次数】1.0 【家族引证次数】1.0 【家族被引证次数】8
