【摘要】 本发明提供一种发光二极管封装结构，其包含一承载单元、一发光二极管芯片以及一复合材料层。发光二极管芯片位于承载单元上；复合材料层局部或完全覆盖于靠近发光二极管芯片的承载单元的表面上。其中，复合材料层包含一树脂材料以及一无机介电材料，树脂材料具有一第一折射系数；无机介电材料掺混于树脂材料内，并具有一第二折射系数，其中，第一折射系数小于第二折射系数，且第一折射系数与第二折射系数的差值至少大于0.2。本发明可通过材料改质以提升发光二极管封装结构对于光线的反射率，提升发光二极管封装结构的出光效率，大幅延长发光二极管封装结构的使用寿命。 【专利类型】发明授权 【申请人】友达光电股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹市 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810131387.9 【申请日】2008-08-11 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101339971B 【公开公告日】2010-06-09 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101339971B 【授权公告日】2010-06-09 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L33/00; H01L33/48; H01L33/54 【发明人】杨健理; 洪春长; 林睿腾 【主权项内容】一种发光二极管封装结构，其特征在于，所述发光二极管包含：一承载单元；一发光二极管芯片，位于所述承载单元上；以及一复合材料层，局部或完全覆盖于所述承载单元的表面，所述复合材料层包含：一树脂材料，具有一第一折射系数，第一折射系数介于1.3至1.6之间；以及一无机介电材料，掺混于所述树脂材料内，所述无机介电材料掺混于所述树脂材料的重量百分比大于10％，所述无机介电材料具有一第二折射系数，所述第二折射系数介于1.7至2.3之间，所述第一折射系数小于所述第二折射系数，且所述第一折射系数与所述第二折射系数的差值至少大于0.2。 【当前权利人】友达光电股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹市 【被引证次数】1 【被他引次数】1.0 【家族被引证次数】7
