【摘要】 本发明公开了一种蚀刻溶液、基板的表面处理方法以及形成浅沟槽隔离的方法。此蚀刻溶液是用以进行半导体基板的表面处理，此蚀刻溶液包括氧化剂以及氧化物移除剂。氧化剂是用以氧化半导体基板为半导体氧化物。氧化物移除剂用以移除上述的半导体氧化物。 【专利类型】发明授权 【申请人】旺宏电子股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹科学工业园区 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810091200.7 【申请日】2008-04-09 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101314852B 【公开公告日】2010-09-29 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101314852B 【授权公告日】2010-09-29 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L21/306 【发明人】吴家伟; 谢荣裕; 杨令武 【主权项内容】一种蚀刻溶液，用以进行半导体基板的表面处理，该蚀刻溶液组成为：氧化剂，用以氧化该半导体基板为半导体氧化物；以及氧化物移除剂，用以移除该半导体氧化物；去离子水，其中，该氧化剂为双氧水，该氧化物移除剂为氢氧化铵，该氧化物移除剂所占的体积比例大于该氧化剂所占的体积比例，该氧化物移除剂、该氧化剂及该去离子水的体积比例为2～4∶1∶80～200。 【当前权利人】旺宏电子股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹科学工业园区 【家族引证次数】8.0 【家族被引证次数】2
