【摘要】 本文涉及用于存储单元上的编程的方法、装置。本发明披露一种用以重置具有一存储单元临界电压的相变化存储单元的方法、系统。该方法包括读取该存储单元的电阻值，假使该电阻值大于一选定电阻值，则中止该存储单元的重置。不然的话，通过施加大于该存储单元临界电压的一电压至该位线，且通过施加大于该存取装置临界电压的一电压VWL至该字线而进行该方法。再次读取该存储单元的电阻值，假使该电阻值大于该选定电阻值，则中止该存储单元的重置，否则，通过施加大于该存储单元临界电压的一电压至该位线、增加电压VWL以一电压ΔV，且施加该增加的电压ΔV至该字线而进行该方法。 【专利类型】发明授权 【申请人】旺宏电子股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹科学工业园区 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810001948.3 【申请日】2008-01-04 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101221815B 【公开公告日】2010-06-09 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101221815B 【授权公告日】2010-06-09 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】G11C16/34; G11C16/10 【发明人】龙翔澜 【主权项内容】一种用于重置一相变化存储器单元的方法，其具有一存储单元临界电压，为至少一部份的所述存储单元的非结晶相变化材料开始瓦解的一电压，所述存储单元耦接到具有一存取装置临界电压的一存取装置，所述方法包括：选定一电压VWL，所述电压VWL大于所述存取装置临界电压；读取所述存储单元的一电阻值，通过(a)施加小于所述存储单元临界电压的一电压，至耦接到所述存储单元的一位线，且通过(b)施加大于所述存取装置临界电压的一电压，至耦接所述存取装置的一字线；假使所述电阻值大于一选定电阻值，则终止所述存储单元的所述重置；假使所述电阻值不大于所述选定电阻值，则进行下述步骤：施加大于所述存储单元临界电压的一电压，至所述位线；以及施加所述电压VWL至所述字线以重置所述存储单元；读取所述存储单元的所述电阻值，通过(a)施加小于所述存储单元临界电压的一电压，至耦接到所述存储单元的所述位线，且通过(b)施加大于所述存取装置临界电压的一电压，至所述字线；假使所述电阻大于所述选定电阻值，则终止所述存储单元的所述重置；假使所述电阻值不大于所述选定电阻值，则进行下述步骤：施加大于所述存储单元临界电压的一电压，至所述位线；将一电压ΔV增加至所述电压VWL；以及施加增加后的所述电压VWL至所述字线以重置所述存储单元；以及返回到所述第二个读取步骤。 【当前权利人】旺宏电子股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹科学工业园区 【引证次数】4.0 【他引次数】4.0 【家族引证次数】163.0 【家族被引证次数】137
