【摘要】 一种像素结构，其适于配置于一基板上，并包括一第一像素电极、一第二像素电极以及一顶栅极薄膜晶体管。第一像素电极与第二像素电极配置于基板上方，其中第一像素电极与第二像素电极彼此分离。顶栅极薄膜晶体管配置于基板与第一像素电极之间，并包括一图案化半导体层以及一栅极。 【专利类型】发明授权 【申请人】友达光电股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810146785.8 【申请日】2008-08-29 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101344697B 【公开公告日】2010-04-21 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101344697B 【授权公告日】2010-04-21 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】G02F1/1362; H01L27/12; H01L21/84 【发明人】罗诚; 范姜士权; 郑景升; 林敬桓; 胡至仁; 张志明 【主权项内容】一种像素结构，适于配置于一基板上，其特征在于，该像素结构包括：一第一像素电极，配置于该基板上方；一第二像素电极，配置于该基板上方，其中该第一像素电极与该第二像素电极彼此分离；以及一顶栅极薄膜晶体管，配置于该基板与该第一像素电极之间，而该顶栅极薄膜晶体管包括：一图案化半导体层，配置于该基板上，其中该图案化半导体层具有多个导电掺杂区以及至少一连接于所述导电掺杂区之间的通道区，而其中一个导电掺杂区由该第一像素电极下方延伸至该第二像素电极下方，且同时与该第一像素电极以及该第二像素电极电性连接；以及一栅极，配置于该通道区上方。 【当前权利人】友达光电股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹 【引证次数】4.0 【他引次数】4.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】8
