【摘要】 本发明提供了一种利用高能电子辐照提高熔融织构GdBaCuO高温超导体性能的方法，该方法能大幅提高高温超导材料的临界电流密度。具体包括使用磁场回旋电子加速装置对熔融织构单畴GdBaCuO高温超导材料进行高能电子辐照，辐照所用电子的能量为2.2Mev与22Mev，电子的电流密度均为200mkA，辐照剂量为1×1017～5×1018e/cm2。 【专利类型】发明申请 【申请人】北京有色金属研究总院 【申请人类型】企业 【申请人地址】100088 北京市新街口外大街2号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】西城区 【申请号】CN200810240068.1 【申请日】2008-12-17 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101747032A 【公开公告日】2010-06-23 【公开公告年份】2010 【IPC分类号】C04B35/45; C04B35/622; H01B12/00 【发明人】焦玉磊; 肖玲; 郑明辉 【主权项内容】一种利用高能电子辐照提高熔融织构GdBaCuO高温超导体性能的方法，其特征在于，使用磁场回旋电子加速装置对熔融织构单畴GdBaCuO高温超导材料进行高能电子辐照，辐照所用电子的能量为2.2Mev或22Mev，电子的电流密度均为200mkA，辐照剂量为1×1017～5×1018e/cm2。 【当前权利人】北京有色金属研究总院 【当前专利权人地址】北京市新街口外大街2号 【引证次数】2.0 【被引证次数】1 【自引次数】2.0 【被他引次数】1.0 【家族引证次数】2.0 【家族被引证次数】1
