【摘要】 一种等离子体系统，用以产生一等离子体。等离子体系统包括一管体、一正电极及一负电极。管体具有一等离子体喷口、一第一端面及一第二端面。等离子体喷口贯穿管体的管壁，用以让等离子体通过以喷出至管体外。正电极具有一正电极侧面，正电极侧面面对且邻近于管体。负电极与正电极相距一第一预设距离。负电极具有一负电极侧面。负电极侧面面对且邻近于管体。其中，第一正电极及第一负电极位于第一端面与第二端面之间，而部份的等离子体喷口位于正电极与负电极之间。 【专利类型】发明申请 【申请人】财团法人工业技术研究院 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】中国台湾新竹县 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810173139.0 【申请日】2008-10-30 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101730374A 【公开公告日】2010-06-09 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101730374B 【授权公告日】2012-05-09 【授权公告年份】2012.0 【IPC分类号】H05H1/26; H05H1/28; H01L21/00; H01J37/32 【发明人】刘志宏; 蔡陈德; 苏浚贤; 许文通; 蔡祯辉; 黄骏 【主权项内容】一种等离子体系统，用以产生一等离子体，所述离子体系统包括：一第一管体，该第一管体具有一第一进气口、一第一等离子体喷口、一第一端面及一第二端面，该第一进气口用以让一等离子体气体通过以进入至该第一管体内，该第一等离子体喷口贯穿该第一管体的管壁，该第一等离子体喷口用以让所述离子体通过以喷出至该第一管体外；一第一正电极，具有一第一正电极侧面及一第一正电极表面，第一正电极侧面连接于该第一正电极表面，该第一正电极侧面面对且邻近于该第一管体；以及一第一负电极，具有一第一负电极侧面及一第一负电极表面，该第一负电极侧面连接于该第一负电极表面，该第一负电极侧面面对且邻近于该第一管体，该第一负电极表面与该第一正电极表面相距一第一预设距离；其中，该第一正电极及该第一负电极位于该第一端面与该第二端面之间，而至少部份的该第一等离子体喷口位于该第一正电极与该第一负电极之间。 【当前权利人】财团法人工业技术研究院 【当前专利权人地址】中国台湾新竹县 【被引证次数】2 【被他引次数】2.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】2
