【摘要】 本发明是有关一种半导体结构及其制造方法，本发明的半导体制造方 法利用形成氧化物层的同时，部分氧化物层区隔出空间或提供高度差，以供 作为传导用的线路(Bus)形成在其上。如此，传导线路可不需额外的光掩膜 来定义，而可在随后的制造中形成导体材料于该氧化物层区之上。因此，本 发明的半导体的制造可减少所需的光掩膜数以降低成本。 该数据由<>整理 【专利类型】发明申请 【申请人】尼克森微电子股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾台北县 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810129973.X 【申请日】2008-07-30 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101640197A 【公开公告日】2010-02-03 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101640197B 【授权公告日】2011-02-02 【授权公告年份】2011.0 【发明人】涂高维; 董正晖 【主权项内容】1、一种半导体结构，其特征在于其包含： 一操作区，该操作区内有多个操作单元，该些操作单元接收一控制信 号，并根据该控制信号操作；以及 一传导区，电性连接至该些操作单元，以将该控制信号传至该些操作单 元； 其中，该传导区具有一辅助部、一传导部及一接触部，该辅助部由非 导体材料所构成，并区隔出多个空间，该传导部由导体材料所构成，形成 于该些空间之上并电性连接该些操作单元，该传导区被移除部分传导区以 形成至少一接触窗并裸露出部分该辅助部，该接触部形成于该至少一接触 窗之上以接收该控制信号并与该传导部电性连接。 【当前权利人】尼克森微电子股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾台北县 【被引证次数】TRUE 【家族被引证次数】TRUE
