【摘要】 本发明提供一种半导体结构的形成方法，所述方法包括提供具有存储阵列区与周边区的衬底，且存储阵列区包括至少一栅极堆迭，依序形成第一氧化层与氮化层于栅极堆迭上，于周边区中形成低压阱及高压阱，以第一温度对衬底进行第一热处理以于低压阱及高压阱上形成栅极氧化层，且第一热处理大抵不使氮化层的上表面氧化，于栅极氧化层中导入扩散阻挡材料，以及以高于第一温度的第二温度对衬底进行第二热处理以于氮化层及栅极氧化层上形成第二氧化层。 ： 【专利类型】发明申请 【申请人】华邦电子股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹科学工业园区 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810190533.5 【申请日】2008-12-30 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101770989A 【公开公告日】2010-07-07 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101770989B 【授权公告日】2012-02-15 【授权公告年份】2012.0 【IPC分类号】H01L21/8247 【发明人】蒋汝平; 石信卿; 蔡耀庭; 廖修汉 【主权项内容】一种半导体结构的形成方法，其特征在于，所述半导体结构的形成方法包括：提供一衬底，所述衬底具有一存储阵列区与一周边区，且所述存储阵列区包括至少一栅极堆迭；形成一第一氧化层于所述栅极堆迭上；形成一氮化层于所述第一氧化层上；对所述衬底注入以于所述周边区中形成一低压阱及一高压阱；以一第一温度对所述衬底进行一第一热处理以于所述低压阱及所述高压阱上分别形成一第一栅极氧化层与一第二栅极氧化层，所述第一栅极氧化层的厚度小于所述第二栅极氧化层，且所述第一热处理大抵不使所述氮化层的上表面氧化；于所述第一栅极氧化层与所述第二栅极氧化层中导入一扩散阻挡材料；以及以一高于所述第一温度的第二温度对所述衬底进行一第二热处理以于所述氮化层、所述第一栅极氧化层、及所述第二栅极氧化层上形成一第二氧化层。 【当前权利人】华邦电子股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹科学工业园区 【被引证次数】13 【被自引次数】1.0 【被他引次数】12.0 【家族引证次数】2.0 【家族被引证次数】13
