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芯片封装专利

发布时间:2026-06-19

【摘要】 本发明提出一种芯片封装,包括一线路基板、一第一芯片、多条第一焊线、 一元件、一第一粘着层以及一封装胶体。第一芯片具有一第一有源面、一第一 背面及多个第一焊垫,第一背面粘附于线路基板上,且第一芯片电性连接至线 路基板。第一焊线电性连接至线路基板与第一芯片的第一焊垫。元件配置于第 一芯片的第一有源面的上方。第一粘着层粘附于第一有源面与元件之间,且未 覆盖第一焊垫。第一粘着层包括一粘附于第一芯片的部份第一有源面的第一B 阶粘着层以及一粘附于第一B阶粘着层与元件之间的第二B阶粘着层。 【专利类型】发明申请 【申请人】南茂科技股份有限公司; 百慕达南茂科技股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】台湾省新竹科学工业园区新竹县研发一路一号 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810186350.6 【申请日】2008-12-08 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101661925A 【公开公告日】2010-03-03 【公开公告年份】2010 【IPC分类号】H01L25/00; H01L23/10; H01L23/31; H01L23/488 【发明人】沈更新; 王伟 【主权项内容】1.一种芯片封装,包括: 一线路基板; 一第一芯片,具有一第一有源面、一相对于该第一有源面的第一背面以及 多个配置于该第一有源面的第一焊垫,其中该第一芯片的该第一背面粘附于该 线路基板上,且该第一芯片电性连接至该线路基板; 多条第一焊线,电性连接至该线路基板与该第一芯片的该些第一焊垫; 一元件,配置于该第一芯片的该第一有源面的上方; 一第一粘着层,粘附于该第一芯片的该第一有源面与该元件之间,且未覆 盖该些第一焊垫,其中该第一粘着层包括: 一第一B阶粘着层,粘附于该第一芯片的部份该第一有源面上;以及 一第二B阶粘着层,粘附于该第一B阶粘着层与该元件之间;以及 一封装胶体,配置于该线路基板上且覆盖该第一芯片、该元件、该第一粘 着层以及该些第一焊线。 【当前权利人】南茂科技股份有限公司; 百慕达南茂科技股份有限公司 【当前专利权人地址】台湾省新竹科学工业园区新竹县研发一路一号; 百慕大汉米顿 【被引证次数】1 【被他引次数】1.0 【家族被引证次数】1

  • 【摘要】本发明公开了一种具有微粒掺杂的镁合金复合材料,包含一镁合金基材,及一 平均粒径介于1nm~100nm且重量百分比浓度为0.05~2.5wt%的微粒组分,借着掺杂 重量百分比浓度在0.05~2.5wt%且粒径尺度是纳米级的微粒组分,而
  • 【摘要】本发明是有关于一种具有埋入式电容的发光二极管座体结构:其包括: 本体;至少一对金属层;至少一介电层;以及至少二导电通道。本体为绝 缘基座,且金属层设置在本体中,且介电层形成于此对金属层间,而成为 埋入式电容,又导电通道分别与金属层电
  • 【摘要】一种具大滑动行程的滑盖式手持移动装置,屏幕模块重叠盖于主机模块的按键组,并可相对滑动,使按键组露出,且屏幕模块上具有开口,供软性电路板穿出而电性连接于主机模块,同时,利用连杆一端连接于主机模块,另一端连接于门板,而可使连杆受到主机模
  • 【摘要】本发明公开了一种热塑性物质嵌入金属材的方法,该方法包含的步骤有: 提供单一酸性或混合酸性溶液、氢氧化物水溶液及介于摄氏50度至摄氏120 度的高温水;利用单一酸性或混合酸性溶液腐蚀金属材,使金属材表面产生 多个孔洞;再重复利用氢氧化
  • 【摘要】本发明公开了一种电子模块及其控制方法,电子模块包含一集成电路单元、一信号分离单元、一第一受控单元以及一第二受控单元。集成电路单元具有一输出端子,并由输出端子输出一复合信号。信号分离单元与集成电路单元电性连接,且信号分离单元接收复合信
  • 【摘要】本发明揭露一种运算放大器及其闪烁噪声的减少方法。此运算放大器包含具有相同布局的两个电路支路及多对电流源。每对电流源中由一对互补性逻辑信号所控制,并通过两组差动对(differential pair)以交替输入至二电路支路(circu