【摘要】 本发明提供一种半导体装置及其制造方法，该制造方法包括下列步骤： 形成至少一介电层于半导体基板上，其中位于顶部的介电层为含硅的介电 层；形成至少一稀土元素氧化层于该含硅的介电层上；形成至少一金属电极 层于该稀土元素氧化层上；以及于形成该金属电极层于该稀土元素氧化层上 后，进行退火工艺，以在该含硅的介电层及该稀土元素氧化层之间至少部分 区域形成稀土硅酸盐层，其中在形成该金属电极层于该稀土元素氧化层上之 前，并没进行退火工艺。本发明在等效栅极氧化层厚度变薄及有效功函数偏 移方面的结果可得到优异的成效。 【专利类型】发明授权 【申请人】台湾积体电路制造股份有限公司; 跨大学校际微电子卓越研究中心 【申请人类型】企业,科研单位 【申请人地址】中国台湾新竹市 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810001342.X 【申请日】2008-01-09 【申请年份】2008 【公开公告号】CN100580883C 【公开公告日】2010-01-13 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN100580883C 【授权公告日】2010-01-13 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L21/28; H01L21/336; H01L29/49; H01L29/78; H01L21/02 【发明人】德根特·史蒂芬; 拉纳森·拉尔克; 凡尔薛·史文; 张世勋; 爱德曼·克理斯夫; 汤姆薛曼 【主权项内容】1.一种半导体装置的制造方法，包括下列步骤： 形成至少一介电层于半导体基板上，其中位于顶部的介电层为含硅的介 电层； 形成至少一稀土元素氧化层于该含硅的介电层上； 形成至少一金属电极层于该稀土元素氧化层上；以及 于形成该金属电极层于该稀土元素氧化层上后，进行退火工艺，以在该 含硅的介电层及该稀土元素氧化层之间至少部分区域，形成稀土硅酸盐层， 其中在形成该金属电极层于该稀土元素氧化层上之前，并没进行退火工艺。。 【当前权利人】台湾积体电路制造股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路八号 【引证次数】1.0 【他引次数】1.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】6
