【摘要】 本发明提供一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法，该方法包括下列步骤：先于基板上分别形成栅极图案与第一接垫图案，并依序形成栅极绝缘层与半导体层覆盖上述二图案。接着，形成图案化光阻层，并调整图案化光阻层在不同区域的光阻区块厚度与适当图案。再经由刻蚀工艺、缩减图案化光阻层工艺，以移除位于第一接垫图案上方的半导体层与栅极绝缘层。之后，移除图案化光阻层，形成源极图案、漏极图案与第一接垫图案电性连接的第二接垫图案。接着，形成图案化保护层于栅极绝缘层上，而图案化保护层具有暴露出源极图案或漏极图案的第二开口与暴露出第二接垫图案的第三开口。 【专利类型】发明授权 【申请人】友达光电股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹市 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810144232.9 【申请日】2008-07-25 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101330062B 【公开公告日】2010-08-18 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101330062B 【授权公告日】2010-08-18 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L21/84 【发明人】曾贤楷; 林汉涂; 詹勋昌; 方国龙 【主权项内容】 。一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，所述方法包括：提供一基板，所述基板上具有一像素区以及位于所述像素区外围的一周边线路区；于所述像素区内的所述基板上分别形成一栅极图案，并且形成一第一接垫图案于所述周边线路区内的所述基板上；于所述基板上依序形成一栅极绝缘层以及一半导体层，以覆盖所述栅极图案以及所述第一接垫图案；于所述半导体层上形成一图案化光阻层，其中所述图案化光阻层包括一第一光阻区块以及一第二光阻区块，所述第一光阻区块位于所述栅极图案上方，所述第二光阻区块对应于所述这些栅极图案以外的区域并具有一第一开口，所述第一开口位于所述第一接垫图案上方，且所述第一光阻区块的厚度大于所述第二光阻区块的厚度；通过所述图案化光阻层作为罩幕来进行刻蚀工艺，以移除所述第一开口所对应的所述半导体层以及部分的所述栅极绝缘层；去除部分所述图案化光阻层的厚度直到所述第二光阻区块被移除；通过剩余的所述图案化光阻层作为罩幕来进行刻蚀工艺，以移除被暴露的所述半导体层以及对应于所述第一开口的所述栅极绝缘层；移除剩余的所述图案化光阻层；于所述像素区内的所述半导体层上分别形成一源极图案以及一漏极图案，其中所述源极图案以及所述漏极图案分别位于所述栅极图案的相对两侧，并且在所述周边线路区内形成一第二接垫图案，所述这些第二接垫图案分别经由所述这些第一开口电性连接至所对应的所述第一接垫图案；以及于所述栅极绝缘层上形成一图案化保护层，以覆盖所述源极图案、所述漏极图案以及部分所述第二接垫图案，所述图案化保护层在所述像素区内具有一第二开口，暴露出所对应的所述源极图案或所述漏极图案，且所述图案化保护层在所述周边线路区内具有一第三开口，分别暴露出所述这些第二接垫图案。 【当前权利人】友达光电股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹市 【家族被引证次数】10
