【摘要】 本发明是有关于一种同轴长线形结构激光二极管制造方法及其发光装置，本发明将同轴激光二极管结构增长，制成同轴长线形激光二极管。因有较长同轴管状活性层及更均匀内建电场，可拥有更多起始发光光子及更高量子效率，以产生更强受激发光的激光放大作用。其制造方法是由先制成长线形同轴激光晶棒，再轴向等段长切割制成同轴长线形激光二极管，可避免在晶圆上耗料的切割方式。所输出同方向的强光由同轴发光光纤均匀分散导出，以合成白光的照明装置。使更强光、更省电、更长寿及更低廉的激光发光方式，成为本世纪节省电能的照明光源。 【专利类型】发明申请 【申请人】杨春足 【申请人类型】个人 【申请人地址】中国台湾高市 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810180418.X 【申请日】2008-11-26 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101741005A 【公开公告日】2010-06-16 【公开公告年份】2010 【IPC分类号】H01S5/00; H01S5/10; H01S3/067; G02B6/02; F21V8/00; H01S3/06 【发明人】杨春足 【主权项内容】一种同轴长线形结构激光二极管，此半导体光源结构，是以同轴激光二极管依轴向加长，所制成的长线形同轴激光二极管结构，其特征在于形成同轴供电的轴心电极与外环导体，其间隔以多层同心圆环形半导体层，组成轴向受激发光的激光放大，由沿着轴向增长分布的同轴圆环形布拉格光栅反馈作用或由两端面反射作用所达成的一种同轴长线形激光二极管结构。 【当前权利人】杨春足 【当前专利权人地址】中国台湾高市 【被引证次数】5 【被他引次数】5.0 【家族被引证次数】5
