24小时服务热线
效率高速
品质保障
厂家直供
售后保障
行业新闻
当前位置:行业新闻>

碎纸机的待碎物件宽度与厚度检测机构专利

发布时间:2026-06-17

【摘要】 本发明涉及一种碎纸机的待碎物件宽度与厚度检测机构,包括碎纸通道、第一宽度感测器、第二宽度感测器、第三宽度感测器、厚度检测模块以及控制单元,且厚度检测模块包括抵顶元件、厚度检测元件以及两组厚度感测器。碎纸机的待碎物件宽度与厚度检测机构利用第一宽度感测器、第二宽度感测器以及第三宽度感测器来检测待碎物件的宽度以决定使用哪一厚度感测器来检测待碎物件的厚度是否大于对应于待碎物件的宽度的容许厚度。因此,本发明的检测机构可更加确实地检测待碎物件,以提升碎纸机保护机制的效果。 【专利类型】发明申请 【申请人】致伸科技股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾台北 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810178038.2 【申请日】2008-12-08 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101745451A 【公开公告日】2010-06-23 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101745451B 【授权公告日】2011-06-15 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】B02C18/16; G01B11/02; G01B11/06; B02C18/06 【发明人】潘永太 【主权项内容】一种碎纸机的待碎物件宽度与厚度检测机构,用以检测一待碎物件为一第一物件宽度或一第二物件宽度并根据该待碎物件的宽度而判断该待碎物件的容许厚度,该碎纸机的待碎物件宽度与厚度检测机构包括:一第一宽度感测器,设置于一碎纸通道上;一第二宽度感测器,设置于该第一宽度感测器的一侧;一第三宽度感测器,设置于该第一宽度感测器的一另一侧;一厚度检测模块,设置于该碎纸通道上,该厚度检测模块包括:一抵顶元件,用以于该待碎物件通过时被该待碎物件抵顶而移动;一厚度检测元件,与该抵顶元件接触而随着该抵顶元件的移动而转动,该厚度检测元件包括一第一检测片以及一第二检测片,其中该第一检测片具有多个第一遮断部,而该第二检测片具有多个第二遮断部;一第一厚度感测器,用以根据该第一检测片的转动而检测所述多个第一遮断部以得知该待碎物件的厚度是否大于一第一容许厚度;以及一第二厚度感测器,用以根据该第二检测片的转动而检测所述多个第二遮断部以得知该待碎物件的厚度是否大于一第二容许厚度;以及一控制单元,连接于该第一宽度感测器、该第二宽度感测器、该第三宽度感测器、该第一厚度感测器以及该第二厚度感测器,用以根据该待碎物件的物件宽度以及厚度而进行碎纸动作或停止碎纸动作;其中当该第一宽度感测器、该第二宽度感测器以及该第三宽度感测器中的任两个宽度感测器感测到该待碎物件进入该碎纸通道时,该控制单元分派该第一厚度感测器来检测该待碎物件的厚度是否大于该第一容许厚度;或当该第一宽度感测器、该第二宽度感测器以及该第三宽度感测器皆感测到该待碎物件进入该碎纸通道时,该控制单元分派该第二厚度感测器来检测该待碎物件的厚度是否大于该第二容许厚度。 【当前权利人】致伸科技股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾台北 【被引证次数】4 【被他引次数】4.0 【家族引证次数】5.0 【家族被引证次数】4

  • 【摘要】一种从磨削废液中提取硅粉的方法,该方法是往磨削废液加盐酸, 控制pH在1.0-6.0之间,经静置、分离、干燥。盐酸浓度为0.1~37%, 盐酸温度为15℃~60℃。可采用自然晾干的方法,自然晾干的过程 中,盐酸和水都挥发掉了,因此硅
  • 【摘要】一种Super-USB 3.4插头和插座,包括Super-USB 3.4插座(S)和 Super-USB 3.4插头(P),Super-USB 3.4插座(S)设有插座金属外壳一 (C1),插座金属外壳一(C1)内设有绝缘基座一(B
  • 【摘要】本发明揭露一种滚珠螺帽。滚珠螺帽被可滑动地设置在一螺杆上,螺杆具有一螺纹槽,且至少一支撑件顶抵在螺杆的下缘,滚珠螺帽的特征在于:滚珠螺帽具有一开口,支撑件对应开口设置,滚珠螺帽对应螺杆的螺纹槽而设置一螺纹槽,这些螺纹槽对应形成至少一
  • 【摘要】本发明披露一种电子系统及其脚架结构。脚架结构包括第一支架、第二支架以及连接件。第一支架具有第一固定单元与第一连接部;第二支架具有第二固定单元与第二连接部;连接件于第一方向上具有多个第三连接部且于第二方向上具有多个固定部,可于第一方向
  • 【摘要】一种音乐节拍检测装置,包括依次连接的音频信号输入模块,节拍获取电路模块,节拍处理模块及节拍输出模块;其中,节拍获取电路模块将通过音频信号输入模块接收的音乐的音频信号进行采样,将音频信号中的高频信号滤除,提取音频信号中的低频信号,并将
  • 【摘要】一种绝缘层上覆硅元件及其制造方法,此绝缘层上覆硅元件包括绝缘层上覆硅基底、N型井区、栅极结构以及P型掺杂区。绝缘层上覆硅基底包括绝缘层以及配置于绝缘层上的P型掺杂硅层。N型井区配置于P型掺杂硅层中。栅极结构配置于N型井区上。栅极结构