【摘要】 一种绝缘层上覆硅元件及其制造方法，此绝缘层上覆硅元件包括绝缘层上覆硅基底、N型井区、栅极结构以及P型掺杂区。绝缘层上覆硅基底包括绝缘层以及配置于绝缘层上的P型掺杂硅层。N型井区配置于P型掺杂硅层中。栅极结构配置于N型井区上。栅极结构包括N型掺杂栅极以及配置于N型掺杂栅极与N型井区之间的栅介电层。P型掺杂区配置于栅极结构两侧的N型井区中。本发明使用N型掺杂栅极来作为P型绝缘层上覆硅金属氧化物半导体晶体管中的栅极，且可以进一步地于N型掺杂栅极下方配置N型淡掺杂区，因此能够有效地提升元件效能。 【专利类型】发明申请 【申请人】新加坡商通益科技股份有限公司台湾分公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹市 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810170137.6 【申请日】2008-10-13 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101728429A 【公开公告日】2010-06-09 【公开公告年份】2010 【IPC分类号】H01L29/78; H01L21/336; H01L29/66; H01L21/02 【发明人】杨基正 【主权项内容】一种绝缘层上覆硅元件，包括：一绝缘层上覆硅基底，包括：一绝缘层；以及一P型掺杂硅层，配置于该绝缘层上；一N型井区，配置于该P型掺杂硅层中；一栅极结构，配置于该N型井区上，该栅极结构包括：一N型掺杂栅极；以及一栅介电层，配置于该N型掺杂栅极与该N型井区之间；以及一P型掺杂区，配置于该栅极结构两侧的该N型井区中。。 【当前权利人】新加坡商通益科技股份有限公司台湾分公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹市 【被引证次数】1 【被他引次数】1.0 【家族被引证次数】1
