【摘要】 一种硅提纯方法及装置，其中该方法包括以下步骤：向一装有硅粉的反应腔输入除杂气体，并对反应腔进行抽真空，使该反应腔内的压力保持在使除杂气体可形成等离子体的范围内；向所述反应腔输入能量，使除杂气体离化形成等离子体；以及取出硅粉。相对于传统的硅提纯方法，该方法具有功耗低、污染少的优点。。 【专利类型】发明申请 【申请人】刘铁林 【申请人类型】个人 【申请人地址】100094 北京市海淀区北清路103号中科纳米基地 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810171978.9 【申请日】2008-10-28 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101723377A 【公开公告日】2010-06-09 【公开公告年份】2010 【IPC分类号】C01B33/037 【发明人】刘铁林 【主权项内容】一种硅提纯方法，包括以下步骤：向一装有硅粉的反应腔输入除杂气体，并对该反应腔进行抽真空，使该反应腔内的压力保持在使除杂气体可形成等离子体的范围内；向所述反应腔输入能量，使除杂气体离化形成等离子体；以及取出硅粉。 【当前权利人】刘铁林 【当前专利权人地址】北京市海淀区北清路103号中科纳米基地 【被引证次数】8 【被他引次数】8.0 【家族引证次数】5.0 【家族被引证次数】9
