【摘要】 一种衬底构造体及移除衬底构造体的方法，是在衬底上，以微影蚀刻方式， 制作多个柱状体。在多个柱状体上，成长三族氮化物半导体层。以化学蚀刻方 式，蚀刻多个柱状体，使该三族氮化物半导体层与该衬底分离。通过多个柱状 体间的空隙可大幅增加蚀刻反应面积，可加强蚀刻分离半导体层与衬底的效 率，降低制造方法上的花费。 【专利类型】发明申请 【申请人】先进开发光电股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹县 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810134525.9 【申请日】2008-07-25 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101635250A 【公开公告日】2010-01-27 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101635250B 【授权公告日】2012-01-25 【授权公告年份】2012.0 【发明人】涂博闵; 黄世晟; 詹世雄 【主权项内容】1.一种移除衬底构造体的方法，包括： 在衬底上，以微影蚀刻方式，制作多个柱状体； 在该多个柱状体上，成长三族氮化物半导体层；以及 以化学蚀刻方式，蚀刻该多个柱状体，使该三族氮化物半导体层与该衬 底分离。 【当前权利人】展晶科技(深圳)有限公司; 荣创能源科技股份有限公司 【当前专利权人地址】广东省深圳市宝安区龙华街道办油松第十工业区东环二路二号; 中国台湾新竹县湖口乡新竹工业区工业五路13号 【被引证次数】6 【家族被引证次数】6
