【摘要】 本发明公开了一种离子注入剂量控制系统及控制方法，涉及离子注入机，属于半导体制造领域。该系统包括剂量积分器、扫描发生器、NI运动控制器和NI实时测量与控制器。本发明的优点是能够显著地提高离子注入剂量值和均匀性的精度以及自恢复功能。。 【专利类型】发明申请 【申请人】北京中科信电子装备有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】101111 北京市中关村科技园通州园光机电一体化产业基地兴光二街6号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】通州区 【申请号】CN200810238899.5 【申请日】2008-12-04 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101764030A 【公开公告日】2010-06-30 【公开公告年份】2010 【IPC分类号】H01J37/317 【发明人】钟新华; 伍三忠; 邱小莎 【主权项内容】一种离子注入剂量控制系统，包括剂量积分器、扫描发生器、NI实时测量与控制器、NI运动控制器，其特征在于：所述的剂量积分器输出与NI实时测量与控制器的连接；所述的扫描发生器与NI实时测量与控制器的连接；所述的NI运动控制器与NI实时测量与控制器的连接。 【当前权利人】北京中科信电子装备有限公司 【当前专利权人地址】北京市中关村科技园通州园光机电一体化产业基地兴光二街6号 【专利权人类型】有限责任公司(法人独资) 【统一社会信用代码】911101127513429762 【被引证次数】5 【被自引次数】5.0 【家族被引证次数】5
