【摘要】 本发明涉及光电子材料技术领域，公开了一种宽光谱自组织量子点材料的生长方法，包括如下步骤：步骤1：在衬底上制作介质掩模图形；步骤2：在制作有介质掩模图形的衬底上依次生长量子点缓冲层材料、量子点层材料及量子点盖层材料。本发明是在衬底上制作宽度或掩模间距周期性由大到小逐渐变化的介质掩模，介质掩模宽度大或间距小的掩模间衬底部分量子点尺寸大发光波长长，而介质掩模宽度小或间距大的掩模间衬底表面量子点尺寸小发光波长短，连续变化的掩模宽度/间距对量子点的发光具有连续的调制作用，结合量子点固有的光谱非均匀展宽效应，能够得到宽光谱量子点材料。 【专利类型】发明申请 【申请人】中国科学院半导体研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】100083 北京市海淀区清华东路甲35号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810240354.8 【申请日】2008-12-17 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101752482A 【公开公告日】2010-06-23 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101752482B 【授权公告日】2011-08-31 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】H01L33/00 【发明人】梁松; 朱洪亮; 王圩 【主权项内容】一种宽光谱自组织量子点材料的生长方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：在衬底上制作介质掩模图形；步骤2：在制作有介质掩模图形的衬底上依次生长量子点缓冲层材料、量子点层材料及量子点盖层材料。 【当前权利人】中国科学院半导体研究所 【当前专利权人地址】北京市海淀区清华东路甲35号 【统一社会信用代码】12100000400012385U 【被引证次数】4 【被自引次数】1.0 【被他引次数】3.0 【家族引证次数】3.0 【家族被引证次数】4
