【摘要】 一种静电放电保护电路元件，其包括N型横向扩散金属氧化物半导体 (LDNMOS)元件，该LDNMOS元件包括P型基底以及N型深井区。P型 基底包括第一区域与第二区域。N型深井区位于P型基底的第一区域与第二 区域之内。该LDNMOS元件还包括位于第一区域区与第二区域之间的P型 基底上的栅极；位于第一区域内的P型注入区；位于第一区域的N型深井区 中的N型阶区；位于N型阶区中的N型第一掺杂区；位于第二区域内的P 型基体区；位于P型基体区中的N型第二掺杂区；以及位于P型基体区中 与N型第二掺杂区相邻的P型掺杂区。 【专利类型】发明申请 【申请人】联华电子股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹科学工业园区 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810146107.1 【申请日】2008-08-06 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101645447A 【公开公告日】2010-02-10 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101645447B 【授权公告日】2011-05-04 【授权公告年份】2011.0 【发明人】赵美玲; 陈家芸; 赖泰翔; 唐天浩 【主权项内容】1.一种静电放电保护电路元件，其包括至少一个横向扩散金属氧化物半 导体元件，该横向扩散金属氧化物半导体元件包括： 具有第一导电型的基底，该基底包括第一区域与第二区域； 具有第二导电型的深井区，位于该基底的该第一区域与该第二区域之 内； 栅极，位于该第一区域与该第二区域之间的该基底上； 具有第一导电型的注入区，位于该基底的该第一区域内； 具有第二导电型的阶区，位于该第一区域的该深井区中； 具有该第二导电型的第一掺杂区，位于该阶区中； 具有该第一导电型的基体区，位于该第二区域的该深井区中； 具有该第二导电型的第二掺杂区，位于该基体区中；以及 具有该第一导电型的掺杂区，位于该基体区中，与该第二掺杂区相邻。 【当前权利人】联华电子股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹科学工业园区 【被引证次数】TRUE 【家族被引证次数】TRUE
