【摘要】 本发明公开了一种非易失性存储器的制造方法，至少包括步骤：(a)准备基材；(b)在基材上生长堆叠层；(c)将堆叠层图案化以形成多个独立的堆叠单元，堆叠单元其中任意二者之间具有开口；(d)在各堆叠单元两侧的基材内分别形成漏极区域与源极区域；(e)生长介电层在开口中与堆叠单元之上；(f)利用化学机械抛光工艺去除位于堆叠单元之上与开口之外的介电层。。微信 【专利类型】发明授权 【申请人】旺宏电子股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹科学工业园区 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810002634.5 【申请日】2008-01-14 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101246857B 【公开公告日】2010-11-17 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101246857B 【授权公告日】2010-11-17 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L21/8247; H01L21/3105 【发明人】叶金瓒; 罗智贤; 苏金达; 陈光钊 【主权项内容】一种非易失性存储器的制造方法，至少包括步骤：准备基材；在该基材上生长堆叠层，该堆叠层包括位于最上方的终止层；将该堆叠层图案化以形成多个独立的堆叠单元，该堆叠单元其中任意二者之间具有开口；在各该堆叠单元两侧的该基材内分别形成漏极区域与源极区域；生长介电层在该开口中与该堆叠单元之上；利用化学机械抛光工艺去除位于该堆叠单元之上与该开口之外的该介电层；以及利用蚀刻剂去除该堆叠单元的最上方的终止层。 【当前权利人】旺宏电子股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹科学工业园区 【家族引证次数】11.0
