【摘要】 一种半穿透半反射型像素结构的制造方法，其包括下列步骤：首 先，提供基板。基板具有至少一个穿透区及至少一个反射区。接着， 在基板上方形成披覆层，其覆盖基板的穿透区与反射区。之后，进行 压印工艺，以使对应穿透区的披覆层的厚度变得比对应反射区的披覆 层厚度薄。。数据由整理 【专利类型】发明申请 【申请人】奇美电子股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾台南县 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810145007.7 【申请日】2008-08-01 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101639583A 【公开公告日】2010-02-03 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101639583B 【授权公告日】2014-03-12 【授权公告年份】2014.0 【发明人】林峰生; 潘易民 【主权项内容】1、一种半穿透半反射型像素结构的制造方法，包括： 提供基板，该基板具有至少一个穿透区和至少一个反射区； 在所述基板上方形成披覆层，其覆盖所述基板的所述穿透区与所 述反射区；以及 进行压印工艺，以使对应于所述穿透区的所述披覆层的厚度变得 比对应于所述反射区的所述披覆层的厚度薄。 【当前权利人】群创光电股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾苗栗县 【被引证次数】TRUE 【家族被引证次数】TRUE
