【摘要】 本发明涉及一种集成电路及形成该集成电路的方法，包含一基板；一硅贯通电极，延伸入基板中；一硅贯通电极转接垫，与硅贯通电极间隔一距离设置，以不环绕该硅贯通电极；以及一金属线，位于硅贯通电极上，且与硅贯通电极及一硅贯通电极转接垫电性连接。 【专利类型】发明授权 【申请人】台湾积体电路制造股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路八号 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810170532.4 【申请日】2008-10-17 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101414589B 【公开公告日】2010-09-08 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101414589B 【授权公告日】2010-09-08 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L23/482; H01L23/52; H01L21/60; H01L21/768 【发明人】陈志华; 陈承先; 郭正铮; 许国经; 卿恺明 【主权项内容】一种集成电路结构，其特征在于，包含：一基板；一硅贯通电极，延伸入该基板中；一硅贯通电极转接垫，与该硅贯通电极间隔一距离设置，以不环绕该硅贯通电极；以及一金属线，位于该硅贯通电极及该硅贯通电极转接垫上，电性连接于该硅贯通电极及该硅贯通电极转接垫。 【当前权利人】台湾积体电路制造股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号 【家族引证次数】38.0 【家族被引证次数】113
