【摘要】 本发明提供一种凸块工艺，是提供一晶片，该晶片具有一主动表面且 该主动表面上具有至少一接垫，再覆盖一保护层于晶片的主动表面上，并 裸露出接垫，接着形成一凸块下金属层于接垫上，再配置一胶膜于保护层 上，并覆盖凸块下金属层。接着对胶膜进行选择性的曝光，使得位在凸块 下金属层上方的胶膜受到曝光，并移除胶膜的曝光部分，使得凸块下金属 层裸露。分布一锡膏于凸块下金属层上，并移除晶片上剩余的胶膜，再借 助回焊工艺使锡膏形成一金属凸块。 【专利类型】发明授权 【申请人】日月光半导体制造股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】台湾省高雄市楠梓加工出口区经三路26号 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810095842.4 【申请日】2008-04-30 【申请年份】2008 【公开公告号】CN100580899C 【公开公告日】2010-01-13 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN100580899C 【授权公告日】2010-01-13 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L21/60 【发明人】余瑞益; 戴丰成 【主权项内容】1.一种凸块工艺，包含下列步骤： 提供一晶片，该晶片具有一主动表面及至少一接垫形成于该主动表面 上； 覆盖保护层于该晶片的主动表面上，并裸露出该接垫； 形成凸块下金属层于该接垫上； 配置胶膜于该保护层上，并覆盖该凸块下金属层，其中该胶膜为微气 泡膜； 对该胶膜进行选择性的曝光，使得位于该凸块下金属层上方的胶膜受 到曝光； 移除该胶膜的曝光部分，并留下该胶膜未曝光的部分，以使得该凸块 下金属层裸露； 分布锡膏于该凸块下金属层上； 在将该晶片上剩余的胶膜曝光后以撕膜机撕除该剩余的胶膜；及 借助一回焊工艺使该锡膏形成金属凸块。 【当前权利人】日月光半导体制造股份有限公司 【当前专利权人地址】台湾省高雄市楠梓加工出口区经三路26号 【引证次数】7.0 【他引次数】7.0 【家族引证次数】7.0 【家族被引证次数】5
