【摘要】 一种元件的制造方法。提供具有至少二隔离结构的基底。在隔离结构之 间的基底上依序形成第一氧化物层及第一导体层。进行第一氮化工艺，以在 第一导体层及隔离结构的表面上分别形成第一氮化物层及第一氮氧化物层。 形成第二氧化物层在第一氮化物层及第一氮氧化物层上。进行一密实工艺， 以氧化隔离结构的表面上的第一氮氧化物层。形成第二氮化物层在第二氧化 物层上。形成第三氧化物层在第二氮化物上。进行第二氮化工艺，以在第三 氧化物层的表面上形成第三氮化物层。形成第二导体层在第三氮化物层上。 【专利类型】发明申请 【申请人】力晶半导体股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹科学工业园区 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810165772.5 【申请日】2008-09-23 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101685775A 【公开公告日】2010-03-31 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101685775B 【授权公告日】2011-07-20 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】H01L21/28; H01L21/336; H01L21/8247; H01L21/762; H01L21/314; H01L21/02; H01L21/70 【发明人】何青原; 藤田博丈; 江柏叡 【主权项内容】1.一种元件的制造方法，包括： 提供一基底，该基底具有至少二隔离结构； 依序在所述隔离结构之间的该基底上形成一第一氧化物层及一第一导 体层； 进行一第一氮化工艺，以在该第一导体层及所述隔离结构的表面上分别 形成一第一氮化物层及一第一氮氧化物层； 在该第一氮化物层及该第一氮氧化物层上形成一第二氧化物层； 进行一密实工艺，以氧化所述隔离结构的表面上的该第一氮氧化物层； 在该第二氧化物层上形成一第二氮化物层； 在该第二氮化物上形成一第三氧化物层； 进行一第二氮化工艺，以在该第三氧化物层的表面上形成一第三氮化物 层；以及 在该第三氮化物层上形成一第二导体层。 【当前权利人】力晶积成电子制造股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹科学工业园区 【家族引证次数】1.0
