【摘要】 本发明公开了一种光电二极管结构及其制造方法。本发明的方法为提供 一基板，基板定义一前侧及一背侧；依序形成一外延层及一第一导电层于基 板的前侧；蚀刻基板的背侧穿透外延层以形成一沟槽，沟槽定义一侧壁并露 出第一导电层；形成一绝缘层覆盖侧壁，绝缘层定义一开口以露出第一导电 层；形成一第二导电层于基板的背侧，第二导电层包括相互隔离的一第一电 极及一第二电极，第一电极覆盖绝缘层并填充开口以连接第一导电层。根据 本发明，将向光侧的接触电极透过埋孔移到背光侧，可减少向光侧的导电层 所占面积而增加向光侧的可曝光面积。 【专利类型】发明申请 【申请人】太聚能源股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹县 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810131129.0 【申请日】2008-07-30 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101640228A 【公开公告日】2010-02-03 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101640228B 【授权公告日】2011-05-04 【授权公告年份】2011.0 【发明人】刘台徽; 吴展兴 【主权项内容】1.一种光电二极管结构的制造方法，包括： 提供一基板，该基板定义一前侧及一背侧； 依序形成一外延层及一第一导电层于该基板的该前侧； 蚀刻该基板的该背侧并穿透该外延层以形成一沟槽，该沟槽定义一侧壁 并露出该第一导电层； 形成一绝缘层覆盖该侧壁，该绝缘层定义一开口以露出该第一导电层； 形成一第二导电层于该基板的该背侧，该第二导电层包括相互隔离的一 第一电极及一第二电极，该第一电极覆盖该绝缘层并填充该开口以连接该第 一导电层。 【当前权利人】太聚能源股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹县
