【摘要】 本发明涉及一种太阳能电池面板电极的制作方法，包括提供一半导体硅片基板，半导体硅片基板依序具有抗反射层或介电层及第一金属层。利用激光束显示一图形在第一金属层上，并依据图形的线条，对第一金属层至抗反射层进行激光合金化处理，并对应图形线条在半导体硅片基板产生一金属硅化物。利用溶液去除第一金属层。在抗反射层表面产生连接金属硅化物的第一电极。产生一第二电极于半导体硅片基板对立抗反射层的一面。另外，本发明也揭示了太阳能电池的面板结构及形成金属硅化物的方法。 【专利类型】发明申请 【申请人】昱晶能源科技股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾苗栗县竹南镇新竹科学园区科北一路21号 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810173008.2 【申请日】2008-10-29 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101728454A 【公开公告日】2010-06-09 【公开公告年份】2010 【IPC分类号】H01L31/18; H01L31/042 【发明人】张凯胜; 欧乃天; 陈添赐 【主权项内容】一种太阳能电池面板的电极制作的方法，其特征在于，包括：提供一半导体硅片基板，该半导体硅片基板上具有一抗反射层，半导体硅片基板包括相堆叠的一P型掺杂层、一N型掺杂层；产生一第一金属层于该抗反射层上；利用一激光束显示一图形于该第一金属层上，并使该激光束依据该图形的线条，对该第一金属层至该抗反射层进行激光合金化处理，并在该半导体硅片基板上对该图形的线条产生一金属硅化物；选择性地利用一溶液去除该第一金属层；产生一第一电极以连接该金属硅化物，并显露在该抗反射层表面；以及产生一第二电极于该半导体硅片基板对立于该抗反射层的一面上。。数据由整理 【当前权利人】昱晶能源科技股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾苗栗县竹南镇新竹科学园区科北一路21号 【被引证次数】8 【被他引次数】8.0 【家族被引证次数】8
