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可执行于计算机系统的电路设计修改方法专利

发布时间:2026-06-19

【摘要】 一种可执行于计算机系统的电路设计修改方法,包含下列步骤:对第一硬件描述语言码进行第一最佳化合成动作而产生第一电路描述;对第一电路描述进行物理设计而产生第一布局后电路;对第一硬件描述语言码进行修改而产生第二硬件描述语言码,分别对第一硬件描述语言码与第二硬件描述语言码进行强制保留信号的第二最佳化合成动作而产生第二电路描述与第三电路描述;对第二电路描述与第三电路描述进行工程改版逻辑锥对撷取程序,产生至少一工程改版逻辑锥对;根据工程改版逻辑锥对与第一布局后电路产生工程改版逻辑门电路及待替换电路,将第一布局后电路中的待替换电路直接替换成工程改版逻辑门电路,将第一布局后电路修改成布局后的工程改版电路。 【专利类型】发明授权 【申请人】知亿科技股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810083477.5 【申请日】2008-03-07 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101246516B 【公开公告日】2010-06-02 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101246516B 【授权公告日】2010-06-02 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】G06F17/50 【发明人】忻建荣 【主权项内容】一种电路设计修改方法,可执行于一计算机系统中,该方法包含下列步骤:对一第一硬件描述语言码进行一第一最佳化合成动作而产生一第一电路描述;对该第一电路描述进行一物理设计而产生一第一布局后电路;对该第一硬件描述语言码进行修改而产生一第二硬件描述语言码,并分别对该第一硬件描述语言码与该第二硬件描述语言码进行强制保留信号的一第二最佳化合成动作而产生一第二电路描述与一第三电路描述;对该第二电路描述与该第三电路描述进行一工程改版逻辑锥对撷取程序,进而产生至少一工程改版逻辑锥对;根据该工程改版逻辑锥对中属于该第二电路描述的逻辑锥,使用等效验证的技术在该第一布局后电路中寻找出等效于该逻辑锥的终点元件的一待替换逻辑锥的终点元件;将该待替换终点元件与该第三电路描述的逻辑锥都记上一有效标记;利用等效验证技术针对记有有效标记的该逻辑锥与该第一布局后电路中该待替换终点元件来界定出一等效边界,而由该有效标记逻辑锥的该终点元件以及该等效边界内的所有逻辑门的集合来形成一工程改版逻辑门电路;将该第一布局后电路中该待替换终点元件以及该等效边界内的所有逻辑门的集合去除后便形成一待替换电路;以及然后将该第一布局后电路中的该待替换电路直接替换成该工程改版逻辑门电路,进而将该第一布局后电路修改成一布局后的工程改版电路。 【当前权利人】美商新思科技有限公司 【当前专利权人地址】美国加利福尼亚州 【引证次数】2.0 【他引次数】2.0 【家族引证次数】6.0 【家族被引证次数】7

  • 【摘要】本发明一种具电弧控制功能的大气等离子体产生装置,包括一外壳、一内电极、一气流控制机构与至少一电弧导引电极。外壳具有相对的一电极设置端与一等离子体出口端。内电极设置在外壳内,并位在电极设置端,其中,内电极连接至一电源供应器。气流控制机
  • 【摘要】本发明有关一种大尺寸晶片切割方法及其设备,是通过减少晶片移动次数以避 免移动过程中的晶片损坏。晶片加载一工作载台即可进行各项程序,并通过将工作 载台移动至工艺装置处或将工艺装置移动至工作载台来完成各项程序。【专利类型】发明申请【申请
  • 【摘要】提供一种横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法,此器件包括具 有第一导电型的衬底、具有第二导电型的深阱、缓冲区、具有第一导电型的 基体区、具有第二导电型的源极区、具有第一导电型的接触区、具有第二导 电型的第一淡掺杂区、具有第二导电
  • 【摘要】一种转换资料格式的方法,适用于电子表格模组中,使得资料在电子表格模组与服务器资料库间中的传送处理,得以弹性地更新前后端的资料。此方法是先透过表格式界面,设定工作表的输入格式与可扩展标记语言的框架。于是,依据所设定的输入格式,自汇入电
  • 【摘要】本发明提供一种像素结构、显示面板、光电装置及其制造方法,该像素结构包括基板、第一图案化导电层、第二图案化导电层及像素电极。第一图案化导电层设置于基板上,且其包含扫描线、与扫描线连接的栅极以及共用电极线。第二图案化导电层设置于第一图案
  • 【摘要】本发明为一种直流电源转换电路及模式切换方法,应用于电子装置中,该电子装置包含有子系统电路,而该直流电源转换电路包含:第一电压转换电路,电连接于该子系统电路,接收系统电压及第一参考电压,用以依据第一参考电压产生第一输出电压至输出端;以