【摘要】 提供一种横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法，此器件包括具 有第一导电型的衬底、具有第二导电型的深阱、缓冲区、具有第一导电型的 基体区、具有第二导电型的源极区、具有第一导电型的接触区、具有第二导 电型的第一淡掺杂区、具有第二导电型的漏极区、沟道区、栅极结构以及具 有第二导电型的第二淡掺杂区。深阱位于衬底中。缓冲区位于深阱中。基体 区位于缓冲区中。源极区与接触区位于基体区中。第一淡掺杂区位于深阱中。 漏极区位于第一淡掺杂区中。沟道区位于源极区与漏极区之间的部分基体区 中。栅极结构覆盖沟道区与部份缓冲区。第二淡掺杂区位于源极区与沟道区 之间。在操作所述器件时可降低体电场以及表面电场，提升器件的击穿电压。 【专利类型】发明申请 【申请人】新唐科技股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】台湾省新竹科学工业园区 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810214469.X 【申请日】2008-08-28 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101661955A 【公开公告日】2010-03-03 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101661955B 【授权公告日】2011-06-01 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】H01L29/78; H01L29/06; H01L21/336; H01L29/66 【发明人】陈柏安 【主权项内容】1.一种横向扩散金属氧化物半导体器件，其特征在于，所述横向扩散金 属氧化物半导体器件包括： 具有一第一导电型的一衬底； 具有一第二导电型的一深阱，位于所述衬底中； 一缓冲区，位于所述深阱中； 具有所述第一导电型的一基体区，位于所述缓冲区中； 具有所述第二导电型的一源极区，位于所述基体区中； 具有所述第一导电型的一接触区，位于所述基体区中； 具有所述第二导电型的一第一淡掺杂区位于所述深阱中； 具有所述第二导电型的一漏极区，位于所述第一淡掺杂区中； 一沟道区，位于所述源极区与所述漏极区之间的部分所述基体区中； 一栅极结构，覆盖所述沟道区与部份所述缓冲区；以及 具有所述第二导电型的一第二淡掺杂区，位于所述源极区与所述沟道区 之间。 【当前权利人】新唐科技股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹科学工业园区 【引证次数】1.0 【被引证次数】10 【他引次数】1.0 【被他引次数】10.0 【家族引证次数】5.0 【家族被引证次数】12
