【摘要】 本发明是有关于一种晶粒与晶片间三维互连的接合结构与方法。该晶 粒与晶片间的接合方法，其包含：提供一晶粒，具有一导电垫片；沉积一铜 金属层于该导电垫片上；沉积一氮化钽层于该铜金属层上；沉积一铜铝合 金层于该氮化钽层上；形成一导电堆叠在该导电垫片上，该导电堆叠包含该 铜金属层、该氮化钽层与该铜铝合金层；以及接合该晶粒的该铜铝合金层 至一晶片的一穿硅导孔中的一金属插塞上，以形成一导电路径于该晶粒的 该导电垫片与该晶片的该金属插塞间。本发明可缩小整个装置的尺寸；具 有较好的粘着力；制造工艺简单，可减少制造工艺的成本；氮化钽层与铜 铝合金层的形成制造工艺为低温制造工艺，在接合制造工艺中并不会增加 装置的热能成本。。 【专利类型】发明申请 【申请人】台湾积体电路制造股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810187392.1 【申请日】2008-12-31 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101635266A 【公开公告日】2010-01-27 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101635266B 【授权公告日】2011-10-26 【授权公告年份】2011.0 【发明人】李柏毅; 王宗鼎 【主权项内容】1、一种晶粒与晶片间的接合方法，其特征在于该方法包含： 提供一晶粒，具有一导电垫片； 沉积一铜金属层于该导电垫片上； 沉积一氮化钽层于该铜金属层上； 沉积一铜铝合金层于该氮化钽层上； 形成一导电堆叠在该导电垫片上，该导电堆叠包含该铜金属层、该氮 化钽层与该铜铝合金层；以及 接合该晶粒的该铜铝合金层至一晶片的一穿硅导孔中的一金属插塞 上，以形成一导电路径于该晶粒的该导电垫片与该晶片的该金属插塞间。 微信 【当前权利人】台湾积体电路制造股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 【被引证次数】6 【家族被引证次数】36
