【摘要】 本发明公开一种利用一阻抗组件耦接于金氧半晶体管的基极与第一源/漏极之间。当产生逆电流的情况时，可限制流经体二极管的逆电流，使金氧半晶体管不致因过热而烧毁。而且金氧半晶体管的基极与第一源/漏极为等电位的情况下，金氧半晶体管的漏极至源极电阻Rds(on)相当小，使金氧半晶体管的功率耗损低且使用本发明的金氧半晶体管的转换电路也能有较高的转换效率。 ： 【专利类型】发明申请 【申请人】登丰微电子股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾台北县 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810171151.8 【申请日】2008-10-22 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101728388A 【公开公告日】2010-06-09 【公开公告年份】2010 【IPC分类号】H01L27/06; H01L29/78; H02M3/156; H01L29/66; H02M3/04 【发明人】刘中唯 【主权项内容】一种具有逆电流限制的金氧半晶体管，其特征在于，包含：一金氧半晶体管，具有一第一源/漏极、一第二源/漏极、一栅极及一基极，该第一源/漏极耦接该基极并形成一二极管；以及一限流阻抗组件，耦接于该第一源/漏极及该基极之间，以限制流经该二极管的电流。 【当前权利人】登丰微电子股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾台北县
