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限电流式充电装置专利

发布时间:2026-06-17

【摘要】 本发明一种限电流式充电装置,其用以将燃料电池传输的电力转换对二 次电池进行充电,其中包括一限电流电路,其电气连接至该电压转换单元的 输入端或输出端、该二次电池与该电压转换单元的控制端,用以将该二次电 池的电力情形与该燃料电池透过该电压转换单元转换后的电力情形来进行演 算,以控制该电压转换单元的电力转换,使该燃料电池输出电力以稳定状况 透过此限电流式充电装置,来对该二次电池进行充电行为。 【专利类型】发明申请 【申请人】思柏科技股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹县竹北市 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810134802.6 【申请日】2008-07-30 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101640429A 【公开公告日】2010-02-03 【公开公告年份】2010 【发明人】董敏耀; 张文星 【主权项内容】1、一种限电流式充电装置,其包括: 一燃料电池,其用以将化学能转换为电能的一种能量转换器; 一二次电池; 一电压转换单元,其与该燃料电池与该二次电池电气连接,用以将该燃 料电池所输出的电力转换为该二次电池充电所需的电力;以及 一限电流电路; 其中该限电流电路,电气连接至该电压转换单元的输出端、该二次电池 与该电压转换单元的控制端,用以将该二次电池的电力情形与该燃料电池透 过该电压转换单元转换后的电力情形来进行演算,以控制该电压转换单元的 电力转换情形。。: 【当前权利人】思柏科技股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹县竹北市

  • 【摘要】本发明提供薄膜晶体管基板、显示面板、显示装置及其制造方法。一种薄膜晶体管基板包含多个行数据线以及多个列扫描线。所述数据线与所述扫描线定义出多个像素区域,其中每一像素区域包含至少一像素电极、至少一储存电极以及一介电层。像素电极与储存电
  • 【摘要】本发明提供在半导体元件的GaN层的反转结构表面上制造接触的技术。可形成具有藉由移除一基板而外露之表面的一n-掺杂GaN层,该n-掺杂GaN层原本形成于该基板上。此一表面的晶体结构可具有非常不同于刚沉积的p-掺杂GaN的表面的结构。
  • 【摘要】一种消除齿槽转矩的无刷永磁马达,该无刷永磁马达包含一转子及一定 子。该转子由多个永久磁铁块制成并提供多个磁极,所述磁极经充磁后的磁晶 排列方向沿所述磁极圆周弧向斜转一第一修正角度。该定子由多个圆形硅钢片 叠积紧固制成,其外圆周具有多
  • 【摘要】一种凸块结构及其制作方法,其包含有一表面上形成有数个连接垫的半导体基底;一覆盖于基底上的保护层,其对应于每一连接垫具有一开口,以露出部分连接垫,作为电性连接位置;一位于保护层上的弹性层;以及数个凸块,其每一位于电性连接位置上,且延伸
  • 【摘要】一种光学膜,包括基底以及多个光栅结构。基底具有相对的入光面与 出光面,其中出光面包括并排的多个半圆柱面。光栅结构是配置于部分出 光面上,且光栅结构的延伸方向实质上平行于半圆柱面的延伸方向。此光 学膜能提高面光源的均匀性。此外,本发明
  • 【摘要】本发明公开了一种文字自动翻译装置及其方法,其中通过辨识目的电话号码的国码与欲传送的文字信息的文字编码,而自动将欲传送的文字信息翻译为目的电话号码的国码所对应的语言。【专利类型】发明申请【申请人】英业达股份有限公司【申请人类型】企业【