【摘要】 一种凸块结构及其制作方法，其包含有一表面上形成有数个连接垫的半导体基底；一覆盖于基底上的保护层，其对应于每一连接垫具有一开口，以露出部分连接垫，作为电性连接位置；一位于保护层上的弹性层；以及数个凸块，其每一位于电性连接位置上，且延伸至弹性层上，以借由弹性层提供凸块弹性与变形量的空间。本发明利用一较大尺度(≥20μm)的弹性层图案化制程，来形成适当图案的弹性层，以使凸块结构能够适用于超细节距的IC元件。 【专利类型】发明申请 【申请人】瀚宇彩晶股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾台北县 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810169241.3 【申请日】2008-10-10 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101728346A 【公开公告日】2010-06-09 【公开公告年份】2010 【IPC分类号】H01L23/485; H01L21/60; H01L23/48; H01L21/02 【发明人】孙伟豪; 汤宝云 【主权项内容】一种凸块结构，其包含有：一半导体基底，其上形成有数个连接垫；一保护层，其是覆盖于该基底上，该保护层对应于每一该连接垫具有一开口，以露出部分该连接垫，作为数个电性连接位置；一弹性层，其是位于该保护层上；以及数个凸块，其每一是设于对应这些电性连接位置上，且延伸至该弹性层。 【当前权利人】瀚宇彩晶股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾台北县 【被引证次数】2 【被他引次数】2.0 【家族被引证次数】2
