【摘要】 本发明揭示一种可靠度获得提升的芯片封装结构制程。首先，提供一具有 多个第一焊垫的第一基板及一具有多个第二焊垫的第二基板，并在第一基板的 这些第一焊垫上形成多个凸块。在第一基板或在第二基板上形成一第一二阶粘 着层并将其B阶化以形成一第一B阶粘着层。在第一B阶粘着层上形成一第 二二阶粘着层并将其B阶化以形成一第二B阶粘着层。接着，透过第一B阶 粘着层与第二B阶粘着层结合第一基板与第二基板，以使得各第一焊垫分别透 过其中一凸块与对应的第二焊垫电性连接。 【专利类型】发明申请 【申请人】南茂科技股份有限公司; 百慕达南茂科技股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】台湾省新竹科学工业园区新竹县研发一路一号 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810214684.X 【申请日】2008-08-29 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101625987A 【公开公告日】2010-01-13 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101625987B 【授权公告日】2012-02-29 【授权公告年份】2012.0 【发明人】沈更新; 王伟 【主权项内容】1.一种芯片封装结构制程，包括： 提供一具有多个第一焊垫的第一基板； 提供一具有多个第二焊垫的第二基板； 于该第一基板具有的该第一焊垫上形成多个凸块； 于该第一基板上或该第二基板上形成一第一二阶粘着层； B阶化该第一二阶粘着层以形成一第一B阶粘着层； 于该第一B阶粘着层上形成一第二二阶粘着层； B阶化该第二二阶粘着层以形成一第二B阶粘着层；以及 透过该第一B阶粘着层与该第二B阶粘着层结合该第一基板与该第二基 板，以使得各该些第一焊垫分别透过其中一凸块与对应的第二焊垫电性连接。 【当前权利人】南茂科技股份有限公司; 百慕达南茂科技股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹科学工业园区新竹县研发一路一号; 百慕大汉米顿 【家族被引证次数】16
