【摘要】 本发明提供在半导体元件的GaN层的反转结构表面上制造接触的技术。可形成具有藉由移除一基板而外露之表面的一n-掺杂GaN层，该n-掺杂GaN层原本形成于该基板上。此一表面的晶体结构可具有非常不同于刚沉积的p-掺杂GaN的表面的结构。 【专利类型】发明申请 【申请人】旭明光电股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾苗栗县 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200880020116.4 【申请日】2008-06-10 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101772840A 【公开公告日】2010-07-07 【公开公告年份】2010 【IPC分类号】H01L23/48; H01L33/00 【发明人】朱振甫; 刘文煌; 朱俊宜; 郑兆祯; 郑好钧; 樊峰旭; 段忠 【主权项内容】一种半导体装置，包含：一氮化镓GaN材料层，具有藉由移除一基板而外露的一表面，所述GaN层原本形成于所述基板上；及一金属接点，与所述外露表面形成接触以电连接于所述GaN层。 【当前权利人】旭明光电股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾苗栗县 【引证次数】2.0 【被引证次数】2 【他引次数】2.0 【被自引次数】1.0 【被他引次数】1.0 【家族引证次数】18.0 【家族被引证次数】28
