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一种同时产生冷水和冷风的间接蒸发制冷方法及装置专利

发布时间:2026-06-14

【摘要】 本发明公开了属于能源技术领域涉及蒸发冷却式供冷的一种同时产生冷水和冷风的间接蒸发制冷方法及装置。新风首先进入多级蒸发冷却式热回收器,被排风的蒸发冷却过程等湿冷却,之后进入同时产生冷水和冷风的蒸发冷却器,和喷淋水接触进行直接蒸发冷却,蒸发冷却器出风的一部分输出到用户,一部分作为排风,经过多级蒸发冷却过程冷却进风后被排出室外。在蒸发冷却器中,用户冷水回水被喷淋水和空气蒸发冷却过程冷却后输出冷水;出水水温低于进风湿球温度。本发明同时输出用户冷水和低温的新风,解决显热换热过程和热湿交换过程风、水流量比的不匹配,通过多级装置解决饱和线的非线性引起的不匹配;用户冷水侧可为闭式系统,机组应用场合更加广泛。 【专利类型】发明授权 【申请人】清华大学; 新疆绿色使者空气环境技术有限公司 【申请人类型】企业,学校 【申请人地址】100084 北京市100084-82信箱 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810103448.0 【申请日】2008-04-03 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101251285B 【公开公告日】2010-09-01 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101251285B 【授权公告日】2010-09-01 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】F24F5/00 【发明人】江亿; 谢晓云; 于向阳 【主权项内容】一种同时产生冷水和冷风的间接蒸发制冷方法,其特征在于,实现过程如下:室外新风首先进入n级蒸发冷却式热回收器(1),吸收排风蒸发冷却过程产生的冷量,被冷却之后进入蒸发冷却器(2),和蒸发冷却器(2)中自上而下的喷淋水直接接触进行蒸发冷却,蒸发冷却器(2)出风的一部分在送风机(5)的作用下作为低温的新风输出送到用户,一部分在排风机(6)的作用下被送入蒸发冷却式热回收器(1),依次经过n级蒸发冷却,最终被排出室外;在蒸发冷却器(2)中,从用户的冷水回水的进水管(14)进入蒸发冷却器(2),吸收外部喷淋水和空气蒸发冷却过程产生的冷量,被降温后由蒸发冷却器(2)进风侧的出水管(13)输出冷水;所述方法利用空气-水热湿交换过程的湿空气等效比热容是空气-水显热换热过程中空气比热容的约3~5倍,为同时满足两个过程的匹配,通过间接蒸发冷却的方式同时制备出冷水和冷风;输出冷水的水温低于室外新风的湿球温度;当室外新风的含湿量变高时,将低温的新风输送到用户的新风送风机(5)和排风机(6)安装在蒸发冷却式热回收器(1)和蒸发冷却器(2)之间。 【当前权利人】清华大学; 新疆绿色使者空气环境技术有限公司 【当前专利权人地址】北京市100084-82信箱; 新疆维吾尔自治区乌鲁木齐市经济技术开发区校园路105号 【专利权人类型】公立; 有限责任公司(自然人投资或控股) 【统一社会信用代码】12100000400000624D; 91650100299947353Y 【引证次数】4.0 【被引证次数】4 【自引次数】2.0 【他引次数】2.0 【被自引次数】4.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】23

  • 【摘要】本发明涉及表皮干细胞研究领域。具体说来,本发明涉及一种在体外培养条件下,通过改变热刺激条件和采用生长因子干预技术,在非转基因条件下诱导成体表皮细胞去分化转变为表皮干细胞的方法。【专利类型】发明申请【申请人】中国人民解放军总医院第一附
  • 【摘要】具有三角型像素结构和按子行分场驱动的等离子体显示屏,属于显示技术领域。显示屏 中每行包含两个子行,两个子行之间相同颜色的子像素之间有约一个像素尺寸的相互错位, 两个子行共同构成在水平方向交互排列的三角型像素和倒三角型像素。子像素形状
  • 【摘要】数据由整理 本发明涉及一种通过气质联用对电子材料中六溴环十二烷含量的测定方法。待测样品中加入比例为1∶0.5~2的正己烷和丙酮,在温度70℃,回流4小时,提取其中的六溴环十二烷,然后过滤、净化获得试样;称取六溴环十二烷标准品,用甲醇
  • 【摘要】本发明公开了一种从冬虫夏草发酵菌丝体中提取和纯化多糖的方法。该方法以冬虫夏草发酵菌丝体为原料,经过脱脂,水提、浓缩、醇沉得到冬虫夏草粗多糖。粗多糖用蒸馏水复溶,Sevag脱蛋白、H2O2脱色、透析、醇沉得到初步纯化多糖;最后用离子交
  • 【专利类型】外观设计【申请人】张智今【申请人类型】个人【申请人地址】100073北京市海淀区万丰路18号院2号楼211室【申请人地区】中国【申请人城市】北京市【申请人区县】海淀区【申请号】CN200830213465.0【申请日】2008-
  • 【摘要】本发明公开了一种基于InxGa1-xN纳米柱的半导体p-i-n结太阳能电池外延片,包括:一衬底,该衬底用于在其上进行InxGa1-xN材料外延生长;一InxGa1-xN材料模板,该InxGa1-xN材料模板外延生长在衬底上;一纳米柱