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更新UE寻呼DRX周期的方法、系统及装置专利

发布时间:2026-06-14

【摘要】 本发明提出一种更新UE寻呼非连续接收DRX周期的方法,包括以下步骤:移动性管理实体MME接收分组PDN网关发送的用户设备UE的承载服务质量QoS参数;所述MME根据所述承载QoS参数更新所述UE的寻呼DRX周期;所述MME将所述更新后的寻呼DRX周期发送给所述UE,所述UE接收并更新自身保存的寻呼DRX周期。本发明由MME根据UE的承载QoS参数的变化更新UE的寻呼DRX周期,并且将更新后的寻呼DRX周期发送给UE,从而在LTE系统下实现对UE寻呼DRX周期的更新。。该数据由<>整理 【专利类型】发明申请 【申请人】大唐移动通信设备有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100083 北京市海淀区学院路29号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810225388.X 【申请日】2008-10-31 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101730205A 【公开公告日】2010-06-09 【公开公告年份】2010 【IPC分类号】H04W52/02; H04W68/00 【发明人】张娟; 熊春山; 艾明 【主权项内容】一种更新UE寻呼非连续接收DRX周期的方法,其特征在于,包括以下步骤:移动性管理实体MME接收分组PDN网关发送的用户设备UE的承载服务质量QoS参数;所述MME根据所述承载QoS参数更新所述UE的寻呼DRX周期;所述MME将所述更新后的寻呼DRX周期发送给所述UE,所述UE接收并更新自身保存的寻呼DRX周期。 【当前权利人】电信科学技术研究院 【当前专利权人地址】北京市海淀区学院路40号 【专利权人类型】有限责任公司(法人独资) 【统一社会信用代码】91110108733466019G 【被引证次数】30 【被他引次数】30.0 【家族被引证次数】30

  • 【摘要】本发明公开了一种变形字的生成方法及装置,用以提高生成变形字的效率。主要技术方案包括:根据字符的字型特征,确定所述字符的特征变换区域;根据预先建立的与所述字符的字型特征对应的变换规则,对确定出的所述特征变换区域进行变换。根据该技术方案
  • 【摘要】本发明公开了一种在有磁环境下的数字磁罗盘标定方法,是为了解决难以满足无磁环境标定的要求而提出的。该数字磁罗盘标定包括有参考磁罗盘磁通量获取单元(11)、待标定磁罗盘磁通量获取单元(21)、参考磁航向角获取单元(12)、待标定磁航向角
  • 【摘要】本发明关于一种移动通信终端的手写拨号系统,其包括:基底, 表面上设置有以坐标阵列形式排列的多个微型图像编码,每个微型图 像编码均可唯一表示该编码在基底上的绝对位置;光学模块,连续获 取显微放大的光学影像;图像传感器,将光学影像生成为
  • 【摘要】本发明公开了一种工业机器人用的钻孔末端执行器,该末端执行器包括有主轴单元、进给单元、支承单元。主轴单元包括精密主轴头,主轴电机及驱动,ER弹簧夹头刀柄及刀具,同步带及带轮;进给单元包括直线滚珠导套及专用轴,丝杠螺母副,进给电机及驱动
  • 【摘要】一种有压雪功能的小型扫雪车,属于环卫机械技术领域。本发明含有集雪装置、驱动装置、车架、车轮以及扶手,还包括压雪装置和切雪装置。所述压雪装置包括形成腔和设置在形成腔内的压雪螺旋,在形成腔前端设有入雪口,形成腔末端设有出砖口。本发明具有
  • 【摘要】本发明涉及一种GaN基单芯片白光发光二极管外延材料,包括一衬底 和在衬底上依次生长的初始生长层、本征GaN缓冲层、n型GaN层、应 力弛豫层、InGaN多量子阱结构发光层、p型AlGaN夹层和p型GaN层; 该应力弛豫层为InGaN