【摘要】 本发明公开了一种活性气体环境中薄膜生长过程实时监测金属源束流变化的装置和方法。装置包括真空规、真空规电源、数字电压检测表、计算机控制系统。方法包括如下步骤：薄膜生长室内通入恒定流量的活性气体，利用数字电压检测表测定背景气压所对应的真空规电信号值；把金属源升温到薄膜生长所需的温度，并稳定10～30分钟；通过精确检测电信号的变化值来检测金属源束流的变化。利用这种方法和装置，能够在薄膜生长过程中时刻掌握金属束流量微小的变化，并可以通过温度调节来达到精确控制流量的目的，从而实现活性气体中薄膜的高质量生长，而且具有很好的可重复性。 【专利类型】发明授权 【申请人】中国科学院物理研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】100190 北京市海淀区中关村南三街8号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810104269.9 【申请日】2008-04-17 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101260515B 【公开公告日】2010-06-16 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101260515B 【授权公告日】2010-06-16 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】G01N7/18; C23C14/54 【发明人】张天冲; 杜小龙; 梅增霞; 崔秀芝; 刘章龙; 刘尧平; 郭阳; 薛其坤 【主权项内容】一种活性气体环境中薄膜生长过程中实时监测金属源束流变化的装置，其特征在于，该装置包括：真空规、真空规电源、数字电压检测表、计算机控制系统；所述活性气体可与被监测金属源发生化学反应；真空规与含有活性气体的薄膜生长室连接，用于获取薄膜生长室中气体压强值的电信号；真空规电源与真空规相连，用于给真空规提供电源；数字电压检测表通过真空规电源与真空规相连，用于检测由真空规获取的电信号的电压；计算机控制系统与数字电压检测表相连，用于对数字电压检测仪获取的电信号进行处理、显示。 【当前权利人】中国科学院物理研究所 【当前专利权人地址】北京市海淀区中关村南三街8号 【统一社会信用代码】12100000400012174C 【家族被引证次数】1
