【摘要】 本发明是关于一种在基材上形成穿导孔的方法，包括以下步骤：(a)提供一基材，该基材具有一第一表面及一第二表面；(b)形成一光阻层于该基材的第一表面上；(c)于该光阻层上形成一图案；(d)根据该图案于该基材上形成一沟槽及一柱体，该沟槽是围绕该柱体；(e)形成一聚合物(Polymer)于该基材的沟槽；(f)移除该基材的柱体，以形成一容置空间；(g)形成一导电金属于该容置空间内；及(h)去除部分该基材的第二表面，以显露该导电金属及该聚合物。藉此，可以在该沟槽内形成较厚的聚合物，而且该聚合物在该沟槽内并不会有厚度不均匀的问题。 【专利类型】发明授权 【申请人】日月光半导体制造股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾高雄市楠梓加工出口区经三路26号 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810099848.9 【申请日】2008-05-26 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101281882B 【公开公告日】2010-06-02 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101281882B 【授权公告日】2010-06-02 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L21/768; H01L21/60 【发明人】王盟仁 【主权项内容】一种在基材上形成穿导孔的方法，包括：(a)提供一基材，该基材具有第一表面及第二表面；(b)形成一光阻层于该基材的第一表面上；(c)于该光阻层上形成一图案；(d)根据该图案于该基材上形成一沟槽及一柱体，该沟槽是围绕该柱体；(e)形成一聚合物于该基材的沟槽；(f)移除该基材的柱体，以形成一容置空间；(g)形成一导电金属于该容置空间内；及(h)去除部分该基材的第二表面，以显露该导电金属及该聚合物。。 【当前权利人】日月光半导体制造股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾高雄市楠梓加工出口区经三路26号 【引证次数】2.0 【他引次数】2.0 【家族引证次数】2.0 【家族被引证次数】2
