【摘要】 本发明是有关于对一多阶单元存储装置施加双侧偏压的方法，此存储装置包括一与非阵列其包括多个电荷捕捉存储单元。一存储装置是以一双侧偏压电子注入技术进行编程，并以一双侧偏压空穴注入技术进行擦除。每一电荷捕捉存储单元包括2n个逻辑状态，例如四个二位逻辑状态包括00逻辑状态、01逻辑状态、10逻辑状态与11逻辑状态。此存储装置可以利用可变双侧偏压(Vd/Vs)或一可变栅极偏压Vg，而以双侧偏压多阶单元编程方法进行编程。 【专利类型】发明授权 【申请人】旺宏电子股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹科学工业园区力行路16号 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810001901.7 【申请日】2008-01-03 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101295544B 【公开公告日】2010-04-07 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101295544B 【授权公告日】2010-04-07 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】G11C16/10; G11C16/14 【发明人】吴昭谊 【主权项内容】一种用以对一多阶单元存储装置施加偏压的方法，该多阶单元存储装置在一存储阵列中具有多个电荷捕捉存储单元，在该多个电荷捕捉存储单元中的每一该电荷捕捉存储单元具有2n个逻辑状态，每一该电荷捕捉存储单元具有一第一电荷捕捉位置以储存一第一位、以及一第二电荷捕捉位置以储存一第二位，其特征在于，该方法包括：同时施加偏压至每一该多个电荷捕捉存储单元的一对应源极终端与一对应漏极终端，并施加一栅极电压至每一该多个电荷捕捉存储单元的一对应终端，以编程该多个电荷捕捉存储单元；决定在每一该多个电荷捕捉存储单元中被过度编程的一位，决定该过度编程位是由读取该位的一电压值并与一参考电压值比对而达成，该过度编程位具有一源极终端、一漏极终端、以及一栅极终端；由同时施加偏压至该过度编程位的该源极终端与该漏极终端，而擦除该过度编程位；以及重新编程该已在该擦除操作中被擦除的该过度编程位。 【当前权利人】旺宏电子股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹科学工业园区力行路16号 【引证次数】4.0 【他引次数】4.0 【家族引证次数】10.0 【家族被引证次数】15
