【摘要】 一种太阳能电池元件及其制作方法，该元件包含一基板、一金属层、一p型半导体层、一n型半导体层及一透明导电层。该基板具有一粗糙面；金属层可包含钼金属，且形成于基板的该粗糙面上。p型半导体层形成于该金属层上，可包含铜铟镓硒硫、铜铟镓硒、铜铟硫、铜铟硒或包含铜、硒或硫二者或二者以上的化合物材料。n型半导体层形成于该p型半导体层上，且与该p型半导体层形成粗糙的p-n结。n型半导体层可为硫化镉。透明导电层形成于该n型半导体层上。一实施例中，该粗糙面的粗糙度介于0.01μm至100μm之间。本发明可有效增加太阳能电池元件中p型半导体及n型半导体的p-n结的表面积，以增加光电流密度，提升发电效率。 【专利类型】发明申请 【申请人】铼宝科技股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹县 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810187543.3 【申请日】2008-12-25 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101764169A 【公开公告日】2010-06-30 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101764169B 【授权公告日】2012-01-25 【授权公告年份】2012.0 【IPC分类号】H01L31/06; H01L31/072; H01L31/068; H01L31/0236; H01L31/0336; H01L31/18; H01L31/0749 【发明人】章丰帆; 林信志; 林信宏; 谢季桦; 李宗龙 【主权项内容】一种太阳能电池元件，包含：一基板，具有一粗糙面；一金属层，形成于该基板的该粗糙面上；一p型半导体层，形成于金属层的表面，包含铜铟镓硒硫、铜铟镓硒、铜铟硫、铜铟硒或包含铜、硒或硫二者或二者以上的化合物材料；一n型半导体层，形成于该p型半导体层上，且与该p型半导体层形成粗糙的p-n结；以及一透明导电层，形成于该n型半导体层上。 【当前权利人】太阳海科技股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹县 【引证次数】1.0 【被引证次数】13 【他引次数】1.0 【被他引次数】13.0 【家族引证次数】5.0 【家族被引证次数】13
