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蚀刻液浓度控制方法专利

发布时间:2026-06-18

【摘要】 一种蚀刻液浓度控制方法,其包括以下步骤:设定蚀刻液的目标浓度 值;抽取蚀刻液样本;用丙二醇稀释所述蚀刻液样本;测量所述蚀刻液样 本的浓度,得到所测量的浓度值;依据所述目标浓度值与所测量的浓度值 的差值,调整所述蚀刻液的浓度至所述目标浓度值。蚀刻液浓度分析过程 中不使用毒性物质,减少蚀刻液浓度控制过程对环境造成的负担。 【专利类型】发明申请 【申请人】浩硕科技股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】台湾省桃园县中坜市中坜工业区自强一路11号 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810213433.X 【申请日】2008-09-02 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101667040A 【公开公告日】2010-03-10 【公开公告年份】2010 【IPC分类号】G05D11/02; G03F7/30; G05D11/00 【发明人】陈志行 【主权项内容】1.一种蚀刻液浓度控制方法,包括下列步骤: (a)设定蚀刻液的目标浓度值; (b)抽取蚀刻液样本; (c)用丙二醇稀释所述蚀刻液样本; (d)测量所述蚀刻液样本的浓度,得到所测量的浓度值; (e)依据所述目标浓度值与所测量的浓度值的差值,调整所述蚀刻液 的浓度至所述目标浓度值。 【当前权利人】浩硕科技股份有限公司 【当前专利权人地址】台湾省桃园县中坜市中坜工业区自强一路11号 【被引证次数】11 【被他引次数】11.0 【家族被引证次数】11

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  • 【摘要】一种发光单元,包括电路基板、壳体以及发光二极管晶粒。电路 基板具有电路层并至少部分透光,壳体具有反射面并与电路基板形成 一空腔。发光二极管晶粒设置于电路基板之上,并与空腔内的电路层 电性连接。发光二极管晶粒发出的至少一部分光线通过反
  • 【摘要】本发明公开了一种液晶配向方法,包括下列步骤。提供一第一基板与一第二基板;提供一液晶层于该第一基板与该第二基板之间,其中该液晶层包括一液晶组成物、一单体材料以及一聚合起始剂;进行一第一曝光程序,以使部份的该单体材料聚合形成二聚合物稳定
  • 【摘要】一种主动式讯息通知系统与方法,首先,令用户端装置连结网络接取装置并输入登入信息,且要求用户认证装置对登入信息进行确认,并建立用户上线资料传予用户信息装置,接着,令用户信息装置通知策略控制装置下达策略,使用户端装置的封包传送至事件处理
  • 【摘要】本发明一种低压雾化液体喷头,包含有一本体、一定位件、一分流件,以及一导流件。本体具有一流道、至少一入口与一出口,定位件设于流道内,且具有一贯通孔连通各入口,分流件是以具预定硬度的材料制成,分流件具有多个孔隙,分流件嵌设于定位件,且与