【摘要】 本发明涉及一种具导通孔的电子元件及薄膜晶体管元件的制造方法。上述电子元件的制造方法包括提供一基底，形成一图案化的下电极在该基底上，形成一感光性绝缘层在该基底上，且覆盖该图案化下电极。涂布一图案化遮光性材料在该感光性绝缘层上，并施以一曝光步骤，使未被该图案化遮光性材料遮挡住的该感光性绝缘层定型化。移除该图案化遮光性材料及其下方部分的该感光性绝缘层，以形成一开口，以及形成一图案化的上电极在该感光性绝缘层上，并填入该开口中，以形成一导通孔。 【专利类型】发明申请 【申请人】财团法人工业技术研究院 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】中国台湾新竹县 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810185734.6 【申请日】2008-12-08 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101752234A 【公开公告日】2010-06-23 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101752234B 【授权公告日】2011-12-07 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】H01L21/28; H01L21/336; H01L51/40; H01L21/02; H01L51/05 【发明人】陈文隽; 林国栋; 李裕正; 宋兆峰 【主权项内容】一种具导通孔的电子元件的制造方法，其特征在于，包括：提供一基底；形成一图案化的下电极在该基底上；形成一感光性绝缘层在该基底上，且覆盖该图案化下电极；涂布一图案化遮光性材料在该感光性绝缘层上；施以一曝光步骤，使未被该图案化遮光性材料遮挡住的该感光性绝缘层定型化；移除该图案化遮光性材料及其下方部分的该感光性绝缘层，以形成一开口；以及形成一图案化的上电极在该感光性绝缘层上，并填入该开口中，以形成一导通孔。 【当前权利人】财团法人工业技术研究院 【当前专利权人地址】中国台湾新竹县 【引证次数】1.0 【被引证次数】2 【他引次数】1.0 【被他引次数】2.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】2
