【摘要】 一种组合式电子阻挡层发光元件，可具有一有源发光层、一n型氮化镓层、 以及一p型氮化镓层、以及两种能隙不同的三五族半导体层，具有周期性地重 复沉积在上述有源发光层上，以作为一势垒较高的电子阻挡层，用以阻挡过多 电子溢流有源发光层。本发明可以实现通过电子阻挡层阻挡电子溢流，以增加 电子与空穴在有源发光层复合的机率，放出光子并且通过晶格大小不同的三五 族半导体层的组合，提供应力补偿，以减少其与有源发光层之间应力的累积。 【专利类型】发明申请 【申请人】先进开发光电股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹县 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810135058.1 【申请日】2008-07-29 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101640236A 【公开公告日】2010-02-03 【公开公告年份】2010 【发明人】吴芃逸; 黄世晟; 涂博闵; 叶颖超; 林文禹; 徐智鹏; 詹世雄 【主权项内容】1.一种组合式电子阻挡层发光元件，包括： 一基板； 一缓冲层，位在该基板上； 一n型氮化镓层，位在该缓冲层上； 一有源发光层，位在该n型氮化镓层上； 两种能隙不同的三五族半导体层，具有周期性地重复沉积在该有源发光 层上；以及 一p型氮化镓层，位在该些三五族半导体层上。 【当前权利人】展晶科技(深圳)有限公司; 荣创能源科技股份有限公司 【当前专利权人地址】广东省深圳市宝安区龙华街道办油松第十工业区东环二路二号; 中国台湾新竹县湖口乡新竹工业区工业五路13号 【被引证次数】TRUE 【家族被引证次数】TRUE
