【摘要】 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法。本发明还公开了一种动态随机存取存储器的存储单元及其制造方法。半导体装置的制造方法包括首先提供基板，并且形成底氧化层及半导体层于基板上，此半导体层形成于底氧化层上。其次，图案化半导体层，使半导体层暴露部分的底氧化层。再者，形成绝缘层于半导体层的侧壁，绝缘层的高度小于半导体层侧壁的高度，使半导体层的顶端及绝缘层的顶端间具有间隙。然后，形成掺杂层于底氧化层上，掺杂层覆盖绝缘层并且与半导体层具有相同的高度，掺杂层通过间隙接触半导体层的侧壁。 【专利类型】发明授权 【申请人】旺宏电子股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹科学工业园区 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810001605.7 【申请日】2008-01-04 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101217116B 【公开公告日】2010-11-17 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101217116B 【授权公告日】2010-11-17 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L21/336; H01L29/78; H01L21/8242; H01L27/108 【发明人】林大为; 蔡文哲 【主权项内容】 一种半导体装置的制造方法，包括：提供基板；形成底氧化层及半导体层于该基板上，该半导体层形成于该底氧化层上；形成栅极于该半导体层上，包括：形成栅极氧化层于该半导体层上；形成电极层于该栅极氧化层上；形成缓冲层于该电极层上；形成掩模层于该缓冲层上；图案化该缓冲层及该掩模层；及图案化该电极层及该栅极氧化层以形成该栅极；图案化该半导体层，使该半导体层暴露部分的该底氧化层；形成绝缘层于该半导体层的侧壁，该绝缘层的高度小于该半导体层侧壁的高度，使该半导体层的顶端及该绝缘层的顶端间具有间隙；以及形成掺杂层于该底氧化层上，该掺杂层覆盖该绝缘层并且与该半导体层具有相同的高度，该掺杂层由该间隙接触该半导体层的侧壁。 【当前权利人】旺宏电子股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹科学工业园区 【引证次数】5.0 【他引次数】5.0 【家族引证次数】8.0 【家族被引证次数】3
